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1. WO2020250445 - 電力変換装置、半導体チップの寿命診断装置、及び半導体チップの寿命診断方法

公開番号 WO/2020/250445
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023754
国際出願日 14.06.2019
IPC
H02M 7/48 2007.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
CPC
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 奥村 紀彦 OKUMURA, Norihiko
代理人
  • 高村 順 TAKAMURA, Jun
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER CONVERTER, SERVICE LIFE DIAGNOSIS DEVICE FOR SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR DIAGNOSING SERVICE LIFE OF SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) CONVERTISSEUR DE PUISSANCE, DISPOSITIF DE DIAGNOSTIC DE DURÉE DE VIE POUR PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE DIAGNOSTIC DE DURÉE DE VIE DE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 電力変換装置、半導体チップの寿命診断装置、及び半導体チップの寿命診断方法
要約
(EN) This power converter (1) is equiped with a plurality of semiconductor chips mounted to constituent members by soldering, and controls the operation of one or more bridge circuits containing at least one series circuit electrically connecting in series a first semiconductor chip (IGBT(P)) and a second semiconductor chip (IGBT(P)) from the plurality of semiconductor chips to one another. The power converter (1) measures the electrical characteristics of the first and second semiconductor chips (IGBT(P) and IGBT(N)) in a state of being mounted to the actual machine, and calculates the thermal resistance of the heat-dissipating structure which includes the constituent members on the basis of the measured electrical characteristics. The power converter (1) diagnoses abnormalities or service life by deterioration in the first and second semiconductor chips (IGBT(P) and (IGBT(N)) by comparing the calculated thermal resistance with initial values.
(FR) La présente invention concerne un convertisseur de puissance (1) qui est équipé d'une pluralité de puces de semi-conducteur montées sur des éléments constitutifs par brasage, et qui commande le fonctionnement d'un ou de plusieurs circuits en pont contenant au moins un circuit série connectant électriquement en série l'une à l'autre une première puce de semi-conducteur (IGBT(P)) et une seconde puce de semi-conducteur (IGBT(N)) de la pluralité de puces de semi-conducteur. Le convertisseur de puissance (1) mesure les caractéristiques électriques des première et seconde puces de semi-conducteur (IGBT(P) et IGBT(N)) dans un état où elles sont montées sur la machine réelle, et calcule la résistance thermique de la structure de dissipation de chaleur qui comprend les éléments constitutifs sur la base des caractéristiques électriques mesurées. Le convertisseur de puissance (1) diagnostique des anomalies ou une durée de vie par détérioration dans les première et seconde puces de semi-conducteur (IGBT(P) et IGBT(N)) par comparaison de la résistance thermique calculée avec des valeurs initiales.
(JA) 電力変換装置(1)は、はんだ付けにより構成部材に実装される半導体チップを複数個備え、複数個の半導体チップのうちの第1の半導体チップ(IGBT(P))と、第2の半導体チップ(IGBT(P))とが電気的に互いに直列に接続された直列回路部を少なくとも1つ含むブリッジ回路の動作を制御する。電力変換装置(1)は、第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))が実機に搭載された状態で第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))の電気的特性を測定し、測定した電気的特性に基づいて構成部材を含む放熱構造の熱抵抗を算出する。電力変換装置(1)は、算出した熱抵抗を初期値と比較することにより、第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))の劣化による異常又は寿命を診断する。
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