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1. WO2020250425 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/250425
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023669
国際出願日 14.06.2019
IPC
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 23/48 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP]
  • 東芝エネルギーシステムズ株式会社 TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 田多 伸光 TADA Nobumitsu
  • 伊東 弘晃 ITO Hiroaki
  • 市倉 優太 ICHIKURA Yuta
  • 渡邉 尚威 WATANABE Naotake
  • 田代 匠太 TASHIRO Shota
  • 水谷 麻美 MIZUTANI Mami
  • 久里 裕二 HISAZATO Yuuji
  • 関谷 洋紀 SEKIYA Hiroki
  • 飯尾 尚隆 IIO Naotaka
代理人
  • 木内 光春 KIUCHI, Mitsuharu
  • 大熊 考一 OHKUMA, Koichi
  • 片桐 貞典 KATAGIRI, Sadanori
  • 木内 加奈子 KIUCHI, Kanako
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN) An objective of the present invention is to provide a semiconductor device such that inductance of inner wiring is suppressed and differences in the inductance of the inner wiring connected to a plurality of semiconductor elements is suppressed. A semiconductor device 1 comprises: a plurality of semiconductor elements 21 each having a power source-side electrode 211 whereto current is inputted and a load-side electrode 212 formed on a plane parallel to the power source-side electrode 211 and wherefrom the current is outputted; a first conductor part 6 formed in a plate shape and electrically connected to one of the power source-side electrode 211 and the load-side electrode 212 of each of the plurality of semiconductor elements 21; a protective barrier part 3 formed from a conductive member, electrically connected to the other of the power source-side electrode 211 and the load-side electrode 212 of each of the plurality of semiconductor elements 21, and surrounding the periphery of the semiconductor elements 21 approximately perpendicular to the power source-side electrodes 211 or load-side electrodes 212 of the semiconductor elements 21; and a second conductor part 7 formed in a plate shape, electrically connected and anchored to the protective barrier part 3, and disposed parallel to the first conductor part 6 and on the side of the semiconductor elements 21 toward the side where the first conductor part 6 is disposed.
(FR) Un objectif de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur de telle sorte que l'inductance du câblage interne est supprimée et les différences dans l'inductance du câblage interne connecté à une pluralité d'éléments semi-conducteurs sont supprimées. Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend : une pluralité d'éléments semi-conducteurs 21 ayant chacun une électrode côté source d'énergie 211 à laquelle un courant est entré et une électrode côté charge 212 formée sur un plan parallèle à l'électrode côté source d'alimentation 211 et à partir de laquelle le courant est délivré ; une première partie conductrice 6 formée en forme de plaque et connectée électriquement à l'électrode côté source d'alimentation 211 et à l'électrode côté charge 212 de chacun de la pluralité d'éléments semi-conducteur 21 ; une partie barrière protectrice 3 formée à partir d'un élément conducteur, connectée électriquement à l'autre parmi l'électrode côté source d'alimentation 211 et l'électrode côté charge 212 de chacun de la pluralité d'éléments semi-conducteurs 21, et entourant la périphérie des éléments semi-conducteurs 21 approximativement perpendiculaires aux électrodes côté source d'alimentation 211 ou aux électrodes côté charge 212 des éléments semi-conducteurs 21 ; et une seconde partie conductrice 7 formée sous une forme de plaque, connectée électriquement et ancrée à la partie barrière protectrice 3, et disposée parallèlement à la première partie conductrice 6 et sur le côté des éléments semi-conducteurs 21 vers le côté où la première partie conductrice 6 est disposée.
(JA) 内部配線のインダクタンスが抑制されるとともに、複数の半導体素子に接続された内部配線のインダクタンスの差異が抑制された半導体装置を提供する。半導体装置1は、電流が入力される電源側電極211と、電源側電極211に対して平行となる面に形成され、電流が出力される負荷側電極212と、を有する複数の半導体素子21と、複数の半導体素子21の電源側電極211、負荷側電極212のいずれか一方に電気的に接続され、板状に構成された第1の導体部6と、複数の半導体素子21の電源側電極211、負荷側電極212の余の一方に電気的に接続され、半導体素子21の電源側電極211または負荷側電極212に対し略垂直に半導体素子21の周囲を囲む、導電部材により構成された防護壁部3と、防護壁部3に電気的に接続されるとともに防護壁部3に固定され、半導体素子21に対し第1の導体部6が配置された側に、第1の導体部6に平行に配置された、板状に構成された第2の導体部7と、を有する。
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