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1. WO2020250300 - 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック素子の製造方法

公開番号 WO/2020/250300
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023086
国際出願日 11.06.2019
IPC
B29C 59/00 2006.1
B処理操作;運輸
29プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
Cプラスチックの成形または接合;他に分類されない可塑状態の材料の成形;成形品の後処理,例.補修
59表面成形,例.エンボス;そのための装置
C08J 7/00 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
7高分子物質から製造された成形体の処理または被覆
CPC
B29C 59/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
59Surface shaping ; of articles; , e.g. embossing; Apparatus therefor
C08J 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G
7Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
出願人
  • ナルックス株式会社 NALUX CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 谷邊 健志 TANIBE, Kenji
  • 山本 和也 YAMAMOTO, Kazuya
代理人
  • 伏見 直哉 FUSHIMI, Naoya
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING PLASTIC ELEMENT HAVING FINE IRREGULAR STRUCTURE ON SURFACE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT EN PLASTIQUE AYANT UNE STRUCTURE IRRÉGULIÈRE FINE SUR UNE DE SES SURFACES
(JA) 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック素子の製造方法
要約
(EN) Provided is a method for producing a plastic element having a fine irregular structure on a surface thereof, the method making it possible to directly generate, on the surface of the plastic element, a fine irregular structure having a desired pitch and a depth of a desired value by a reactive ion etching process. The method for producing a plastic element having a fine irregular structure on a surface thereof comprises: a first step in which, by reactive ion etching performed in an atmosphere of a first gas, a fine irregular structure having an average pitch of a predetermined value ranging from 0.05 to 1 micrometers is formed on the surface of the plastic element; and a second step in which, by reactive ion etching performed in an atmosphere of a second gas having lower reactivity to the plastic element than reactivity of the first gas to the plastic element, an average depth of the fine irregular structure is made a predefined value ranging from 0.15 to 1.5 micrometers while the predetermined value of the average pitch is substantially maintained.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un élément en plastique ayant une structure irrégulière fine sur une de ses surfaces, le procédé permettant de générer directement, sur la surface de l'élément en plastique, une structure irrégulière fine ayant un pas souhaité et une profondeur d'une valeur souhaitée par un procédé de gravure ionique réactive. Le procédé de production d'un élément en plastique ayant une structure irrégulière fine sur une de ses surfaces comprend : une première étape dans laquelle, par gravure ionique réactive réalisée sous une atmosphère d'un premier gaz, une structure irrégulière fine ayant un pas moyen d'une valeur prédéterminée allant de 0,05 à 1 µm est formée sur la surface de l'élément en plastique ; et une seconde étape dans laquelle, par gravure ionique réactive réalisée sous une atmosphère d'un second gaz ayant une réactivité vis-à-vis de l'élément en plastique inférieure par rapport à la réactivité du premier gaz vis-à-vis de l'élément en plastique, une profondeur moyenne de la structure irrégulière fine est obtenue avec une valeur prédéfinie allant de 0,15 à 1,5 µm tandis que la valeur prédéterminée du pas moyen est sensiblement maintenue.
(JA) 反応性イオンエッチングプロセスにより、所望のピッチ及び所望の値の深さの微細凹凸構造をプラスチック素子の表面に直接生成することのできる表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック素子の製造方法を提供する。表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック素子の製造方法であって、第1のガスの雰囲気の反応性イオンエッチングによって該プラスチック素子の表面に0.05マイクロメータから1マイクロメータの範囲の所定の値の平均ピッチの微細凹凸構造を生成する第1のステップと、該第1のガスの該プラスチック素子に対する反応性よりも該プラスチック素子に対する反応性が低い第2のガスの雰囲気における反応性イオンエッチングによって平均ピッチの該所定の値をほぼ維持しながら該微細凹凸構造の平均深さを0.15マイクロメータから1.5マイクロメータの範囲の所定の値とする第2のステップと、を含む。
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