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1. WO2020250291 - 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法

公開番号 WO/2020/250291
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023014
国際出願日 11.06.2019
IPC
H01S 5/026 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H01S 5/22 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 勉 YAMAGUCHI Tsutomu
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR PHOTONIC INTEGRATED ELEMENT AND SEMICONDUCTOR PHOTONIC INTEGRATED ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT INTÉGRÉ PHOTONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT INTÉGRÉ PHOTONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法
要約
(EN) A semiconductor photonic integrated element wherein a laser unit (2) and a light receiving element unit (3) are positioned on the same semiconductor substrate (10) and along the optical axis of a laser, the laser unit (2) and the light receiving element unit (3) each have, in order from the side closest to the semiconductor substrate (10), a light confining layer (12) that confines light, a clad layer (14), and a contact layer (152, 153) that is formed from an InGaAs layer or an InGaAsP layer, the light confining layer of the laser unit (2) is an active layer (12), and the contact layer (153) of the light receiving element unit is a light absorbing layer. In this semiconductor photonic integrated element, each clad layer (14) is a ridge structure having a shape in which the light confining layer (12)-side width is narrower than the contact layer (152, 153)-side width in a cross-section perpendicular to the optical axis, and the semiconductor photonic integrated element does not have a semiconductor buried layer in a side surface of any of the light confining layers (12), the clad layers (14), and the contact layers (152, 153).
(FR) L'invention concerne un élément intégré photonique à semi-conducteur dans lequel une unité laser (2) et une unité d'élément de réception de lumière (3) sont positionnées sur le même substrat semi-conducteur (10) et le long de l'axe optique d'un laser, l'unité laser (2) et l'unité d'élément de réception de lumière (3) ont chacune, dans l'ordre depuis le côté le plus proche du substrat semi-conducteur (10), une couche de confinement de lumière (12) qui confine la lumière, une couche de revêtement (14), et une couche de contact (152, 153) qui est formée à partir d'une couche d'InGaAs ou d'une couche d'InGaAsP, la couche de confinement de lumière de l'unité laser (2) est une couche active (12), et la couche de contact (153) de l'unité d'élément de réception de lumière est une couche d'absorption de lumière. Dans cet élément intégré photonique à semi-conducteur, chaque couche de revêtement (14) est une structure de crête ayant une forme dans laquelle la largeur de coté de couche de confinement de lumière (12) est plus étroite que la largeur de coté de couche de contact (152, 153) dans une section transversale perpendiculaire à l'axe optique, et l'élément intégré photonique à semi-conducteur n'a pas de couche enfouie semi-conductrice dans une surface latérale de l'une quelconque des couches de confinement de lumière (12), les couches de revêtement (14) et les couches de contact (152, 153).
(JA) 同一の半導体基板(10)に、レーザ部(2)と受光素子部(3)がレーザの光軸に沿って配置され、レーザ部(2)および受光素子部(3)は、いずれも、半導体基板(10)に近い側から順に、光を閉じ込める光閉じ込め層(12)、クラッド層(14)、およびInGaAs層またはInGaAsP層で形成されたコンタクト層(152、153)を有し、レーザ部(2)の光閉じ込め層は活性層(12)であり、受光素子部のコンタクト層(153)は光吸収層となる半導体光集積素子において、クラッド層(14)は、光軸に垂直な断面において、光閉じ込め層(12)の側の幅が、コンタクト層(152、153)の側の幅よりも狭い形状のリッジ構造であり、光閉じ込め層(12)、クラッド層(14)およびコンタクト層(152、153)の側面に半導体の埋め込み層を有しない構造とした。
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