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1. WO2020250079 - 金属酸化物、および金属酸化物を有するトランジスタ

公開番号 WO/2020/250079
公開日 17.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/055157
国際出願日 01.06.2020
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
C23C 16/40 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
C30B 29/16 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
H01L 21/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
CPC
C23C 16/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
40Oxides
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H01L 21/477
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
477Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 金川朋賢 KANAGAWA, Tomosato
  • 高橋正弘 TAKAHASHI, Masahiro
優先権情報
2019-10949012.06.2019JP
2019-12368202.07.2019JP
2019-15782030.08.2019JP
2019-19424825.10.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METAL OXIDE, AND TRANSISTOR HAVING METAL OXIDE
(FR) OXYDE MÉTALLIQUE, ET TRANSISTOR COMPORTANT UN OXYDE MÉTALLIQUE
(JA) 金属酸化物、および金属酸化物を有するトランジスタ
要約
(EN) Provided is a novel metal oxide. This metal oxide comprises crystals. The crystals have a structure in which a first layer, a second layer, and a third layer are layered, and the first layer, the second layer, and the third layer are each roughly parallel to a surface upon which the metal oxide is formed. The first layer comprises a first metal and oxygen, the second layer comprises a second metal and oxygen, and the third layer comprises a third metal and oxygen. The first layer has an octahedron-shaped structure, the second layer has a trigonal bipyramid-shaped structure or a tetrahedron-shaped structure, and the third layer has a trigonal bipyramid-shaped structure or a tetrahedron-shaped structure. The octahedron-shaped structure possessed by the first layer has an atom of the first metal in the center thereof. The trigonal bipyramid-shaped structure or the tetrahedron-shaped structure possessed by the second layer has an atom of the second metal in the center thereof. The trigonal bipyramid-shaped structure or the tetrahedron-shaped structure possessed by the third layer has an atom of the third metal in the center thereof. The valence of the first metal is the same as the valence of the second metal, and the valence of the first metal is different from the valence of the third metal.
(FR) La présente invention concerne un nouvel oxyde métallique. Cet oxyde métallique comprend des cristaux. Les cristaux ont une structure dans laquelle une première couche, une deuxième couche et une troisième couche sont stratifiées, et la première couche, la deuxième couche et la troisième couche sont chacune sensiblement parallèles à une surface sur laquelle l'oxyde métallique est formé. La première couche comprend un premier métal et de l'oxygène, la deuxième couche comprend un deuxième métal et de l'oxygène, et la troisième couche comprend un troisième métal et de l'oxygène. La première couche a une structure en forme d'octaèdre, la deuxième couche a une structure en forme de pyramide trigonale ou une structure en forme de tétraèdre, et la troisième couche a une structure en forme de pyramide trigonale ou une structure en forme de tétraèdre. La structure en forme d'octaèdre possédée par la première couche a un atome du premier métal au centre de celle-ci. La structure en forme de pyramide trigonale ou la structure en forme de tétraèdre possédée par la deuxième couche a un atome du second métal au centre de celle-ci. La structure en forme de pyramide trigonale ou la structure en forme de tétraèdre possédée par la troisième couche a un atome du troisième métal au centre de celle-ci. La valence du premier métal est identique à la valence du deuxième métal, et la valence du premier métal est différente de la valence du troisième métal.
(JA) 新規の金属酸化物を提供する。 金属酸化物は、結晶を有し、結晶は、第1の層と、第2の層と、第3の層と、が積層された構造を 有し、第1の層、第2の層、および第3の層は、それぞれ金属酸化物の被形成面と概略平行であり、 第1の層は、第1の金属と、酸素と、を有し、第2の層は、第2の金属と、酸素と、を有し、第3 の層は、第3の金属と、酸素と、を有し、第1の層は、八面体形構造を有し、第2の層は、三方両 錐形構造または四面体形構造を有し、第3の層は、三方両錐形構造または四面体形構造を有し、前 記第1の層が有する、八面体形構造は、中心に第1の金属の原子を有し、第2の層が有する、三方 両錐形構造または四面体形構造は、中心に第2の金属の原子を有し、第3の層が有する、三方両錐 形構造または四面体形構造は、中心に第3の金属の原子を有し、第1の金属の価数は、第2の金属 の価数と同じであり、第1の金属の価数は、第3の金属の価数と異なる。
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