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1. WO2020246138 - 抵抗率測定装置の管理方法

公開番号 WO/2020/246138
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/016069
国際出願日 10.04.2020
IPC
G01R 27/02 2006.1
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
27抵抗,リアクタンス,インピーダンスまたはそれらから派生する電気的特性を測定する装置
02実数または複素抵抗,リアクタンス,インピーダンス,またはそれらから誘導される二端子特性,例.時定数,を測定するもの
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01R 27/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
27Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 吉田 昌弘 YOSHIDA Masahiro
  • 福山 光博 FUKUYAMA Mitsuhiro
  • 久米 史高 KUME Fumitaka
  • 金谷 晃一 KANAYA Koichi
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2019-10467404.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESISTIVITY MEASUREMENT DEVICE MANAGEMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GESTION DE DISPOSITIF DE MESURE DE RÉSISTIVITÉ
(JA) 抵抗率測定装置の管理方法
要約
(EN) The present invention pertains to a method for managing a resistivity measurement device by repeatedly measuring, by a four-probe method, resistivity on a measurement surface of a standard sample comprising a silicon monocrystal, the method involving: using a standard sample in which the measurement surface is a plane orthogonal to the center axis of a silicon ingot and which includes, in the in-plane of the measurement surface, an intersection point between the center axis of the silicon ingot and the plane orthogonal to the center axis; arranging four probes for use in the four-probe method such that the array direction thereof is orthogonal to a straight line connecting the intersection point and a measurement position; measuring the resistivity by means of the four-probe method; and rotationally moving the measurement position by a prescribed rotational angle about the intersection point for each measurement. Thus, it is possible to provide a resistivity measurement device management method which can achieve stabilization of repetitive resistivity measurement of a silicon monocrystal which is a standard sample.
(FR) La présente invention concerne un procédé de gestion d'un dispositif de mesure de résistivité en mesurant, de façon répétée, par un procédé à quatre sondes, une résistivité sur une surface de mesure d'un échantillon standard qui comprend un monocristal de silicium, le procédé comprenant : l'utilisation d'un échantillon standard dans lequel la surface de mesure est un plan orthogonal à l'axe central d'un lingot de silicium et qui comprend, dans le plan interne de la surface de mesure, un point d'intersection entre l'axe central du lingot de silicium et le plan orthogonal à l'axe central ; l'agencement de quatre sondes destinées à être utilisées dans le procédé à quatre sondes de telle sorte que la direction de réseau de celles-ci soit orthogonale à une ligne droite qui relie le point d'intersection et une position de mesure ; la mesure de la résistivité au moyen du procédé à quatre sondes ; et le déplacement rotatif de la position de mesure selon un angle de rotation prescrit autour du point d'intersection pour chaque mesure. Ainsi, il est possible de fournir un procédé de gestion de dispositif de mesure de résistivité qui peut accomplir la stabilisation d'une mesure de résistivité répétitive d'un monocristal de silicium qui est un échantillon standard.
(JA) 本発明は、シリコン単結晶からなる標準サンプルの測定面の抵抗率を四探針法により繰返し測定して抵抗率測定装置の管理を行う方法であって、前記標準サンプルとして、前記測定面がシリコンインゴットの中心軸に直交する平面であり、前記測定面の面内に前記シリコンインゴットの中心軸と前記中心軸に直交する平面の交点を含む前記標準サンプルを用い、前記四探針法で使用する4本の探針の配列方向が、前記交点と測定位置とを結ぶ直線に対し直交する方向となるように配置して、前記四探針法による前記抵抗率の測定を行い、前記測定を行う毎に、前記交点を回転中心として所定の回転角度で前記測定位置を回転移動する抵抗率測定装置の管理方法である。これにより、標準サンプルであるシリコン単結晶の繰返し抵抗率測定を安定化できる抵抗率測定装置の管理方法を提供する。
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