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1. WO2020245994 - 研磨液及び研磨方法

公開番号 WO/2020/245994
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/022612
国際出願日 06.06.2019
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C09K 3/14 2006.1
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 昭和電工マテリアルズ株式会社 SHOWA DENKO MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大塚 祐哉 OTSUKA Yuya
  • 南 久貴 MINAMI Hisataka
  • 小林 真悟 KOBAYASHI Shingo
  • 小峰 真弓 KOMINE Mayumi
  • 高橋 寿登 TAKAHASHI Hisato
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING SOLUTION AND POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨液及び研磨方法
要約
(EN) A polishing solution containing: abrasive grains that include a metal oxide; at least one hydroxy acid compound selected from the group consisting of hydroxy acids having the structure expressed in formula (A1), and salts thereof; and water. [In the formula, R11 represents a hydrogen atom or a hydroxy group, R12 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, n11 represents an integer greater than or equal to 0, and n12 represents an integer greater than or equal to 0. However, the case in which both R11 and R12 are hydrogen atoms is excluded.]
(FR) L'invention concerne une solution de polissage contenant : des grains abrasifs qui comprennent un oxyde métallique; au moins un composé hydroxyacide choisi dans le groupe constitué par des hydroxyacides ayant la structure exprimée dans la formule (A1), et des sels correspondants; et de l'eau. [Dans la formule, R11 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydroxyle, R12 représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, ou un groupe aryle, n11 représente un nombre entier supérieur ou égal à 0, et n12 représente un nombre entier supérieur ou égal à 0. Cependant, le cas dans lequel à la fois R11 et R12 sont des atomes d'hydrogène est exclus.]
(JA) 金属酸化物を含む砥粒と、下記一般式(A1)で表される構造を有するヒドロキシ酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のヒドロキシ酸化合物と、水と、を含有する、研磨液。[式中、R11は水素原子又はヒドロキシ基を示し、R12は水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、n11は0以上の整数を示し、n12は0以上の整数を示す。但し、R11及びR12の双方が水素原子である場合を除く。]
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