(EN) In the present invention, among Si columns 6a, 6b, 6c, gate TiN layers 24b of the Si columns 6b, 6c are in contact with each other in the vertical direction along the entire length of the channel. SiO2 layers 28a, 28b, 28c are formed so as to be separated from each other and surround the Si columns 6a, 6b, 6c, and also surround mask material layers 7a, 7b, 7c on top of the Si columns. Then, a SiN layer 29 is formed so as to surround the SiO2 layers 28a, 28b, 28c. The mask material layers 7a, 7b, 7c, and the SiO2 layers 28a, 28b, 28c are then removed. A selective epitaxial crystalline growth method is then used to form a P+ layer 32b and N+ layers 32a, 32c, the upper surfaces of which are lower than the upper surface position of the SiN layer 29, so as to surround the tops of the Si columns 6a, 6b, 6c.
(FR) Dans la présente invention, parmi des colonnes de Si 6a, 6b, 6c, des couches de TiN de grille 24b des colonnes de Si 6b, 6c sont en contact l'une avec l'autre dans la direction verticale sur toute la longueur du canal. Des couches de SiO2 28a, 28b, 28c sont formées de façon à être séparées l'une de l'autre et à entourer les colonnes de Si 6a, 6b, 6c, et à entourer également des couches de matériau de masque 7a, 7b, 7c présentes sur le sommet des colonnes de Si. Ensuite, une couche de SiN 29 est formée de façon à entourer les couches de SiO2 28a, 28b, 28c. Les couches de matériau de masque 7a, 7b, 7c et les couches de SiO2 28a, 28b, 28c sont ensuite éliminées. Un procédé de croissance cristalline épitaxiale sélective est ensuite utilisé pour former une couche P+ 32b et des couches N+ 32a, 32c, dont les surfaces supérieures sont plus basses que la position de surface supérieure de la couche de SiN 29, de façon à entourer les sommets des colonnes de Si 6a, 6b, 6c.
(JA) Ｓｉ柱６ａ、６ｂ、６ｃの内、Ｓｉ柱６ｂ、６ｃのゲートＴｉＮ層２４ｂが、垂直方向において、チャネル長全体で接触している。Ｓｉ柱６ａ、６ｂ、６ｃと、その頂部上にある頂部上にマスク材料層７ａ、７ｂ、７ｃと、を囲み、且つ互いに離れたＳｉＯ2層２８ａ、２８ｂ、２８ｃを形成する。そして、ＳｉＯ2層２８ａ、２８ｂ、２８ｃを囲んでＳｉＮ層２９を形成する。そして、マスク材料層７ａ、７ｂ、７ｃとＳｉＯ2層２８ａ、２８ｂ、２８ｃと、を除去する。そして、選択エピタキシャル結晶成長法により、その上面がＳｉＮ層２９の上面位置より低いＰ+層３２ｂ、Ｎ+層３２ａ、３２ｃをＳｉ柱６ａ、６ｂ、６ｃの頂部を囲んで形成する。
