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1. WO2020245935 - 光デバイス

公開番号 WO/2020/245935
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/022312
国際出願日 05.06.2019
IPC
H01S 5/026 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
G02B 6/12 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10光導波路型のもの
12集積回路型のもの
G02B 6/42 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
24ライトガイドのための結合
42ライトガイドと光電素子との結合
CPC
G02B 6/12
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
G02B 6/42
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
42Coupling light guides with opto-electronic elements
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山岡 優 YAMAOKA, Suguru
  • 中尾 亮 NAKAO, Ryo
  • 硴塚 孝明 KAKITSUKA, Takaaki
  • 松尾 慎治 MATSUO, Shinji
代理人
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE
(JA) 光デバイス
要約
(EN) This optical device comprises: a first cladding layer formed on a Si substrate; a first core comprising Si formed on the first cladding layer; a second cladding layer formed on the first cladding layer, said second cladding layer covering the first core; a waveguide-type laser that is formed on the second cladding layer, and has an active layer configured from an InP type compound semiconductor; a second core comprising InP that is formed on the second cladding layer continuously with the waveguide-type laser, and for which the width decreases commensurately with respect to an increase in the distance from the waveguide-type laser; and a third cladding layer that is formed on the second cladding layer, and covers the laser and the second core. A portion of the first core is positioned to enable optical coupling with the second core, and the first cladding layer and the second cladding layer are configured from a material that has a higher thermal conductivity than InP.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif optique comprenant : une première couche de gainage formée sur un substrat en Si ; un premier cœur contenant du Si formé sur la première couche de gainage ; une deuxième couche de gainage formée sur la première couche de gainage, ladite deuxième couche de gainage recouvrant le premier cœur ; un laser de type à guide d'ondes qui est formé sur la deuxième couche de gainage, et qui présente une couche active constituée d'un composé semi-conducteur de type InP ; un second cœur contenant de l'InP qui est formé sur la deuxième couche de gainage en continu avec le laser de type à guide d'ondes, et dont la largeur diminue proportionnellement par rapport à une augmentation de la distance au laser de type à guide d'ondes ; et une troisième couche de gainage qui est formée sur la deuxième couche de gainage, et qui recouvre le laser et le second cœur. Une partie du premier cœur est positionnée de façon à permettre un couplage optique avec le second cœur, et les première et deuxième couches de gainage sont constituées d'un matériau qui possède une conductivité thermique supérieure à celle de l'InP.
(JA) Si基板の上に形成された第1クラッド層と、第1クラッド層の上に形成されたSiからなる第1コアと、第1クラッド層の上に形成された、第1コアを覆う第2クラッド層と、第2クラッド層の上に形成された、InP系の化合物半導体から構成された活性層を有する導波路型のレーザと、第2クラッド層の上に、導波路型のレーザに連続して形成され、導波路型のレーザより離れるほど幅が狭い、InPからなる第2コアと、第2クラッド層の上に形成された、レーザおよび第2コアを覆う第3クラッド層とを備え、第1コアの一部は、第2コアと光結合可能に配置され、第1クラッド層、および第2クラッド層は、InPより高い熱伝導率を有する材料から構成されている光デバイス。
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