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1. WO2020245924 - 発光素子、発光デバイス

公開番号 WO/2020/245924
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/022211
国際出願日 04.06.2019
IPC
H05B 33/14 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
14エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/12 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
CPC
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/12
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
H05B 33/14
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
14characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material ; , or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 上田 吉裕 UETA, Yoshihiro
代理人
  • 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENTS
(JA) 発光素子、発光デバイス
要約
(EN) A light-emitting element (2) comprises: an anode (4); a cathode (9); a quantum dot layer (7) between the anode and the cathode, the quantum dot layer containing quantum dots (7A); and an electron transport layer (8) between the cathode and the quantum dot layer, the electron transport layer contacting the quantum dot layer. At the boundary between the quantum dot layer and the electron transport layer, the ionization potential of the quantum dot layer is greater than the ionization potential of the electron transport layer, and the band gap of the quantum dot layer is greater than the band gap of the electron transport layer.
(FR) Élément électroluminescent (2) comprenant : une anode (4) ; une cathode (9) ; une couche de points quantiques (7) entre l'anode et la cathode, la couche de points quantiques contenant des points quantiques (7A) ; et une couche de transport d'électrons (8) entre la cathode et la couche de points quantiques, la couche de transport d'électrons étant en contact avec la couche de points quantiques. Au niveau de la limite entre la couche de points quantiques et la couche de transport d'électrons, le potentiel d'ionisation de la couche de points quantiques est supérieur au potentiel d'ionisation de la couche de transport d'électrons et la bande interdite de la couche de points quantiques est supérieure à la bande interdite de la couche de transport d'électrons.
(JA) 発光素子(2)は、アノード(4)と、カソード(9)と、前記アノードと前記カソードとの間の、量子ドット(7A)を含む量子ドット層(7)と、前記カソードと前記量子ドット層との間の、前記量子ドット層と接する電子輸送層(8)とを備える。前記量子ドット層と前記電子輸送層との界面において、前記量子ドット層のイオン化ポテンシャルが、前記電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きく、かつ、前記量子ドット層のバンドギャップが、前記電子輸送層のバンドギャップよりも大きい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報