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1. WO2020245904 - 研磨液、分散体、研磨液の製造方法及び研磨方法

公開番号 WO/2020/245904
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/022144
国際出願日 04.06.2019
IPC
C09K 3/14 2006.1
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
C09G 1/02 2006.1
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
Gフレンチポリッシュ以外のつや出し組成物;スキーワックス
1つや出し組成物
02研摩剤または粉砕剤を含むもの
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 昭和電工マテリアルズ株式会社 SHOWA DENKO MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 井上 恵介 INOUE Keisuke
  • 小野 裕 ONO Hiroshi
  • 古山 啓 KOYAMA Kei
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING SOLUTION, DISPERSION, POLISHING SOLUTION PRODUCTION METHOD, AND POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE, DISPERSION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SOLUTION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨液、分散体、研磨液の製造方法及び研磨方法
要約
(EN) This polishing solution for CMP contains a liquid medium and abrasive grains containing silica, wherein the contained amount of the abrasive grains with respect to the total amount of the polishing solution is 1.0 mass% or more, and, in a mass-based particle size distribution obtained through a centrifuge separation method, the D50 of the abrasive grains is not more than 150 nm and the D90 of the abrasive grains is not less than 100 nm, and the difference between D90 and D50 is 21 nm or more.
(FR) L'invention concerne une solution de polissage pour CMP qui contient un milieu liquide et des grains abrasifs contenant de la silice, la quantité contenue de grains abrasifs par rapport à la quantité totale de la solution de polissage étant de 1,0 % en masse ou plus et, dans une distribution de taille de particule basée sur la masse obtenue par l'intermédiaire d'un procédé de séparation centrifuge, le D50 des grains abrasifs n'étant pas supérieur à 150 nm et le D90 des grains abrasifs n'étant pas inférieur à 100 nm, et la différence entre D90 et D50 étant de 21 nm ou plus.
(JA) シリカを含む砥粒と液状媒体とを含有するCMP用研磨液であって、砥粒の含有量が、研磨液の全量を基準として、1.0質量%以上であり、遠心分離法によって得られる質量基準の粒度分布において、砥粒のD50が150nm以下であり、砥粒のD90が100nm以上であり、D90とD50との差が21nm以上である、CMP用研磨液。
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