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1. WO2020245900 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/245900
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/022125
国際出願日 04.06.2019
IPC
H02M 1/08 2006.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H02M 7/48 2007.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 東芝三菱電機産業システム株式会社 TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 西村 一輝 NISHIMURA, Kazuki
  • 中野 俊秀 NAKANO, Toshihide
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN) A semiconductor device comprises: a semiconductor switching element; a driving circuit that drives the semiconductor switching element; and a snubber circuit that suppresses surge voltage generated when switching the semiconductor switching element. The drive circuit is configured such that the semiconductor switching element is switched at the timing when a prescribed time has elapsed from the timing when the semiconductor switching element was switched. The prescribed time is set on the basis of the timing at which voltage increases due to voltage oscillation caused by the switching of the semiconductor switching element.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : un élément de commutation à semi-conducteur ; un circuit d'attaque qui attaque l'élément de commutation à semi-conducteur ; et un circuit d'amortissement qui supprime une surtension générée lors de la commutation de l'élément de commutation à semi-conducteur. Le circuit d'attaque est configuré de telle sorte que l'élément de commutation à semi-conducteur est commuté au moment où un temps prescrit s'est écoulé depuis le moment où l'élément de commutation à semi-conducteur a été commuté. Le temps prescrit est réglé sur la base du moment auquel la tension augmente en raison d'une oscillation de tension provoquée par la commutation de l'élément de commutation à semi-conducteur.
(JA) 半導体装置は、半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路と、半導体スイッチング素子のスイッチング時に発生するサージ電圧を抑制するスナバ回路とを備える。駆動回路は、半導体スイッチング素子をスイッチングしたタイミングから所定時間が経過したタイミングで半導体スイッチング素子をスイッチングするように構成される。所定時間は、半導体スイッチング素子のスイッチングによって生じる電圧振動において電圧が増加するタイミングに基づいて設定される。
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