処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020245728 - 通信装置および電子機器

公開番号 WO/2020/245728
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/055211
国際出願日 03.06.2020
IPC
H03K 17/16 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16混信電圧または混信電流を消去するための変形
H03K 17/693 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
693いくつかの入力または出力端子をもつスイッチング装置,例.マルチプレクサまたは分配器
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H04B 1/38 2015.1
H電気
04電気通信技術
B伝送
1グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
H04B 1/44 2006.1
H電気
04電気通信技術
B伝送
1グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
40回路
44送信-受信切り換え
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H03K 17/16
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
H03K 17/693
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
H04B 1/38
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
H04B 1/44
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
40Circuits
44Transmit/receive switching
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
優先権情報
2019-10707507.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMMUNICATION DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUNICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 通信装置および電子機器
要約
(EN) Provided is a communication device with which it is possible to transmit and receive high potential signals. This communication device has a shared device provided with first to fourth transistors, a transmission terminal, a reception terminal, an antenna terminal and first and second control terminals. The transmission terminal is electrically connected to one of the source or drain of the first and second transistors, the reception terminal is electronically connected to one of the source or the drain of the third and fourth transistors, the antenna terminal is electrically connected to other of the source or drain of the second and fourth transistors, the first control terminal is electrically connected to the gate of the second and the third transistor, and the second control terminal is electrically connected to the gate of the first and fourth transistor. The semiconductors of the first to fourth transistors each include metal oxide.
(FR) L'invention concerne un dispositif de communication avec lequel il est possible de transmettre et de recevoir des signaux à potentiel élevé. Ce dispositif de communication comprend un dispositif partagé comportant des premier à quatrième transistors, un terminal de transmission, un terminal de réception, un terminal d'antenne et des premier et deuxième terminaux de commande. Le terminal de transmission est connecté électriquement à l'une de la source ou du drain des premier et deuxième transistors, le terminal de réception est connecté électroniquement à l'une de la source ou du drain des troisième et quatrième transistors, le terminal d'antenne est électriquement connecté à une autre de la source ou du drain des deuxième et quatrième transistors, le premier terminal de commande est connecté électriquement à la grille du deuxième et du troisième transistor, et le deuxième terminal de commande est connecté électriquement à la grille du premier et du quatrième transistor. Les semi-conducteurs des premier à quatrième transistors comprennent chacun un oxyde métallique.
(JA) 高電位の信号を送受信できる通信装置を提供する。 第1乃至第4のトランジスタと、送信端子と、受信端子と、アンテナ端子と、第1および第2の制 御端子と、が設けられた共用器を有する。送信端子は、第1および第2のトランジスタのソースま たはドレインの一方と電気的に接続され、受信端子は、第3および第4のトランジスタのソースま たはドレインの一方と電気的に接続され、アンテナ端子は、第2および第4のトランジスタのソー スまたはドレインの他方と電気的に接続され、第1の制御端子は、第2および第3のトランジスタ のゲートと電気的に接続され、第2の制御端子は、第1および第4のトランジスタのゲートと電気 的に接続される。また、第1乃至第4のトランジスタの半導体は、それぞれ金属酸化物を含む。
Related patent documents
JP2021524495This application is not viewable in PATENTSCOPE because the national phase entry has not been published yet or the national entry is issued from a country that does not share data with WIPO or there is a formatting issue or an unavailability of the application.
国際事務局に記録されている最新の書誌情報