処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020245696 - 整合回路、半導体装置、および、電子機器

公開番号 WO/2020/245696
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/054927
国際出願日 25.05.2020
IPC
H01L 27/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 27/088 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H03H 7/38 2006.1
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
7回路網の部品として受動的電気素子のみを含む多端子対回路網
38インピーダンス整合回路網
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H03H 7/38
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
7Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
38Impedance-matching networks
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
  • 大嶋和晃 OHSHIMA, Kazuaki
優先権情報
2019-10423504.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MATCHING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) CIRCUIT D'ADAPTATION, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 整合回路、半導体装置、および、電子機器
要約
(EN) Provided is a matching circuit that can cope with a plurality of frequencies. The matching circuit comprises a transistor and an inductor. The matching circuit uses, as a capacitor, the capacitance (hereinafter referred to as capacitance Cgsd) formed between the source and drain and the gate of the transistor, and the capacitance Cgsd has the characteristic of changing according to a gate-to-source voltage (hereinafter referred to as voltage Vgs). The transistor included in the matching circuit is an OS transistor having a metal oxide in a channel forming region. The OS transistor has a feature in which the amount of change in the capacitance Cgsd with respect to the voltage Vgs is larger than that of a silicon-based MOS FET, so that the matching circuit can cope with an AC signal in a wide frequency range.
(FR) L'invention concerne un circuit d'adaptation qui peut faire face à une pluralité de fréquences. Le circuit d'adaptation comprend un transistor et un inducteur. Le circuit d'adaptation utilise, en tant que condensateur, la capacité (ci-après appelée capacité Cgsd) formée entre la source et le drain et la grille du transistor, et la capacité Cgsd a la caractéristique de changer selon une tension grille-source (ci-après désignée tension Vgs). Le transistor inclus dans le circuit d'adaptation est un transistor OS ayant un oxyde métallique dans une région de formation de canal. Le transistor OS a un élément dans lequel la quantité de variation de la capacité Cgsd par rapport à la tension Vgs est supérieure à celle d'un FET MOS à base de silicium, de telle sorte que le circuit d'adaptation peut faire face à un signal CA dans une large plage de fréquences.
(JA) 複数の周波数に対応できる整合回路を提供する。 整合回路は、トランジスタとインダクタを有する。整合回路は、トランジスタの、ソースおよびド レインとゲートとの間に形成される容量(以後、容量Cgsd、という)をコンデンサとして用い、 容量 Cgsdは、ソースに対するゲートの電圧(以後、電圧 Vgs、という)に応じて変化する特 性を有する。整合回路が有するトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有するOSトラ ンジスタである。OSトランジスタにおいて、電圧Vgsに対する容量 Cgsdの変化量は、シリ コンを使用した MOS型FETより大きい特徴を有するため、整合回路は、広い周波数範囲の交流 信号に対応することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報