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1. WO2020245688 - 半導体装置、半導体ウエハ、及び電子機器

公開番号 WO/2020/245688
公開日 10.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/054810
国際出願日 21.05.2020
IPC
G11C 5/14 2006.1
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
5G11C11/00に分類される記憶装置の細部
14電力供給装置
G11C 14/00 2006.1
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
14電源遮断時にバックアップするための,揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 21/8234 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
CPC
G06F 1/3287
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
1Details not covered by groups G06F3/00G06F13/00 and G06F21/00
26Power supply means, e.g. regulation thereof
32Means for saving power
3203Power management, i.e. event-based initiation of power-saving mode
3234Power saving characterised by the action undertaken
3287by switching off individual functional units in the computer system
G06F 11/14
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
14Error detection or correction of the data by redundancy in operation
G11C 14/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
14Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
G11C 5/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
14Power supply arrangements
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 石津貴彦 ISHIZU, Takahiko
  • 大貫達也 ONUKI, Tatsuya
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
優先権情報
2019-10424204.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、半導体ウエハ、及び電子機器
要約
(EN) Provided is a semiconductor device with reduced power consumption. The present invention pertains to a semiconductor device including a power management unit, a CPU core, and a memory device, wherein the power management unit includes a power switch and a power controller, and the memory device includes working memory and a long-term memory storage unit. The power switch has the function of controlling supply of a power source voltage to the CPU core and the memory device, and the power controller has the function of controlling the operation of the power switch. The CPU core has the function of transmitting, to the power controller, a timing to stop the supply of the power source voltage, and the memory device has the function of retracting data held in the working memory to the long-term memory storage unit before the power switch stops the supply of the power source voltage. A transistor provided in each of the power management unit, the CPU core, and the memory device should preferably be an Si transistor.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à consommation d'énergie réduite. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une unité de gestion de puissance, un noyau de CPU, et un dispositif de mémoire, l'unité de gestion de puissance comprenant un commutateur de puissance et un dispositif de commande de puissance, et le dispositif de mémoire comprenant une mémoire de travail et une unité de stockage de mémoire à long terme. Le commutateur de puissance a pour fonction de commander l'alimentation d'une tension de source d'alimentation au noyau de CPU et au dispositif de mémoire, et le dispositif de commande de puissance a pour fonction de commander le fonctionnement du commutateur de puissance. Le noyau de CPU pour fonction de transmettre, au dispositif de commande de puissance, une temporisation pour arrêter l'alimentation de la tension de source d'alimentation, et le dispositif de mémoire a pour fonction de retirer des données conservées dans la mémoire de travail vers l'unité de stockage de mémoire à long terme avant que le commutateur de puissance arrête l'alimentation de la tension de source d'alimentation. Un transistor prévu dans chacune de l'unité de gestion de puissance, du noyau de CPU et du dispositif de mémoire doit être de préférence un transistor Si.
(JA) 消費電力が低減された半導体装置を提供する。 パワーマネージメントユニットとCPUコアと記憶装置を有する半導体装置であって、パワーマネ ージメントユニットは、パワースイッチとパワーコントローラを有し、記憶装置は、ワーキングメ モリと長期記憶貯蔵部を有する。パワースイッチは、CPUコアと、記憶装置と、への電源電圧の 供給を制御する機能を有し、パワーコントローラは、パワースイッチの動作を制御する機能を有す る。CPUコアはパワーコントローラに電源電圧の供給を停止するタイミングを送信する機能を有 し、記憶装置はパワースイッチが電源電圧の供給を停止する前に、ワーキングメモリに保持された データを長期記憶貯蔵部に退避させる機能を有する。また、パワーマネージメントユニットと CP Uコアと記憶装置のそれぞれが有するトランジスタは、Siトランジスタであることが好ましい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報