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1. WO2020241780 - 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク

公開番号 WO/2020/241780
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/021196
国際出願日 28.05.2020
IPC
G03F 1/24 2012.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24反射マスク;その準備
G03F 1/54 2012.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54吸収材,例.不透明な材料
C23C 14/06 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
CPC
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 1/54
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
54Absorbers, e.g. of opaque materials
G03F 1/58
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
54Absorbers, e.g. of opaque materials
58having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
G03F 1/82
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
出願人
  • 凸版印刷株式会社 TOPPAN INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 合田 歩美 GODA Ayumi
  • 福上 典仁 FUKUGAMI Norihito
代理人
  • 廣瀬 一 HIROSE Hajime
  • 宮坂 徹 MIYASAKA Toru
優先権情報
2019-10299131.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANKS AND REFLECTIVE PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHES DE PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク
要約
(EN) Provided are reflective photomask blanks and a reflective photomask which can compatibly suppress a projection effect and enhance the life of a mask. The reflective photomask blanks (10) are provided with: a substrate (1); a reflection unit (7) which is provided on the substrate (1) and reflects incident light; and a low reflection unit (8) which is provided on the reflection unit (7) and absorbs incident light. The low reflection unit (8) has a laminated structure including at least two layers. The outermost layer (5) of the low reflection unit (8) has a refractive index n equal to or greater than 0.90, and an extinction coefficient k equal to or less than 0.02 with respect to extreme ultraviolet (EUV) light (where the wavelength is 13.5 nm).
(FR) L'invention concerne des ébauches de photomasque réfléchissant et un photomasque réfléchissant qui peuvent supprimer de manière compatible un effet de projection et améliorer la durée de vie d'un masque. Les ébauches de photomasque réfléchissant (10) comportent : un substrat (1); une unité de réflexion (7) qui est disposée sur le substrat (1) et qui réfléchit la lumière incidente; et une unité à faible réflexion (8) qui est disposée sur l'unité de réflexion (7) et qui absorbe la lumière incidente. L'unité à faible réflexion (8) possède une structure stratifiée comprenant au moins deux couches. La couche la plus à l'extérieur (5) de l'unité à faible réflexion (8) possède un indice de réfraction n supérieur ou égal à 0,90 et un coefficient d'extinction k inférieur ou égal à 0,02 par rapport à la lumière ultraviolette extrême (EUV) (où la longueur d'onde est de 13,5 nm).
(JA) 射影効果の抑制とマスクの寿命向上とを両立できるようにした反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを提供する。反射型フォトマスクブランクス(10)は、基板(1)と、基板(1)上に設けられて入射した光を反射する反射部(7)と、反射部(7)上に設けられて入射した光を吸収する低反射部(8)と、を備える。低反射部(8)は少なくとも2層以上の積層構造である。低反射部(8)の最表層(5)はEUV(Extreme UltraViolet:波長13.5nm)光に対して屈折率nが0.90以上、消衰係数kが0.02以下である。
関連特許文献
US17615083出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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