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1. WO2020241599 - 基板処理システム及び基板処理システムの制御方法

公開番号 WO/2020/241599
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020622
国際出願日 25.05.2020
IPC
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/677 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
C23C 16/44 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
C23C 16/458 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
458反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
CPC
C23C 16/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
C23C 16/458
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H01L 21/677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 久保 敦史 KUBO, Atsushi
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-09972928.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理システム及び基板処理システムの制御方法
要約
(EN) Provided are a substrate processing system comprising a conveyance device which simultaneously conveys a plurality of substrates and a method for controlling a substrate processing system with which it is possible to suitably correct substrate positioning. The substrate processing system comprises a processing chamber which carries out a process on a plurality of substrates, a vacuum conveyance chamber which is connected to the processing chamber, a conveyance device which is disposed in the vacuum conveyance chamber and simultaneously conveys the plurality of substrates, a module which comprises a plurality of stages on which the substrates are loaded and is connected to the vacuum conveyance chamber, and a control unit. The control unit measures a deformation of an arm of the conveyance device which has conveyed the processed substrates, and on the basis of the deformation of the arm of the conveyance device, corrects the positioning of the stages.
(FR) L'invention concerne un système de traitement de substrat comprenant un dispositif de transport qui transporte simultanément plusieurs substrats et un procédé de commande d'un système de traitement de substrat au moyen duquel il est possible de corriger de manière appropriée le positionnement du substrat. Le système de traitement de substrat comprend une chambre de traitement qui réalise un processus sur plusieurs substrats, une chambre de transport sous vide qui est reliée à la chambre de traitement, un dispositif de transport qui est disposé dans la chambre de transport sous vide et qui transporte simultanément la pluralité de substrats, un module qui comprend plusieurs étages sur lesquels les substrats sont chargés et qui est relié à la chambre de transport sous vide, et une unité de commande. L'unité de commande mesure une déformation d'un bras du dispositif de transport qui a transporté les substrats traités et, sur la base de la déformation du bras du dispositif de transport, corrige le positionnement des étages.
(JA) 複数枚の基板を同時に搬送する搬送装置を備える基板処理システムにおいて、基板の位置を好適に補正する基板処理システム及び基板処理システムの制御方法を提供する。 複数の基板に処理を施す処理室と、前記処理室と接続される真空搬送室と、前記真空搬送室に設けられ、複数の基板を同時に搬送する搬送装置と、基板を載置するステージを複数有し、前記真空搬送室と接続されるモジュールと、制御部と、を備え、前記制御部は、処理済の基板を搬送した前記搬送装置のアームの変形量を測定し、前記搬送装置の前記アームの変化量に基づいて、前記ステージの位置を補正する、基板処理システム。
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