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1. WO2020241586 - 増幅装置

公開番号 WO/2020/241586
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020590
国際出願日 25.05.2020
IPC
H01L 21/822 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H03F 1/42 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
1増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
42帯域幅を拡げるための増幅器の変形
H03F 3/193 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
189高周波増幅器,例.無線周波増幅器
19半導体装置のみをもつもの
193電界効果装置をもつもの
H03F 3/60 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
60結合回路網が分布定数をもつ増幅器,例.導波管共振器をもつもの
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H03F 1/42
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
42Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
H03F 3/193
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
193with field-effect devices
H03F 3/60
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
出願人
  • 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 宮澤 直行 MIYAZAWA Naoyuki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • ▲高▼木 邦夫 TAKAGI Kunio
優先権情報
2019-09859327.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) AMPLIFIER DEVICE
(FR) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR
(JA) 増幅装置
要約
(EN) Provided is an amplifier device comprising a semiconductor chip, a package, a first feedback circuit, and a second feedback circuit. The package comprises a metal base, an insulating lateral wall, an input lead, and an output lead. The input lead is connected to a gate pad group of the semiconductor chip. The output lead is connected to a drain pad group of the semiconductor chip. Each of the feedback circuits comprises a dielectric substrate disposed on the metal base, a feedback resistor positioned on the dielectric substrate, and a capacitor connected in series to the feedback resistor. Each of the feedback circuits is connected between the gate pad group and the drain pad group. The feedback circuits are positioned respectively on the base on one side and another side of the semiconductor chip in an extension direction of a first and a second end edge.
(FR) L'invention concerne un dispositif amplificateur comprenant une puce semi-conductrice, un boîtier, un premier circuit à rétroaction et un second circuit à rétroaction. Le boîtier comprend une base métallique, une paroi latérale isolante, un fil d'entrée et un fil de sortie. Le fil d'entrée est connecté à un groupe de pastilles de grille de la puce semi-conductrice. Le fil de sortie est connecté à un groupe de pastilles de drain de la puce semi-conductrice. Chacun des circuits à rétroaction comprend un substrat diélectrique disposé sur la base métallique, une résistance à rétroaction positionnée sur le substrat diélectrique, et un condensateur connecté en série à la résistance à rétroaction. Chacun des circuits à rétroaction est connecté entre le groupe de pastilles de grille et le groupe de pastilles de drain. Les circuits à rétroaction sont positionnés respectivement sur la base d'un côté et d'un autre côté de la puce semi-conductrice dans une direction d'extension d'un premier et d'un second bord d'extrémité.
(JA) 増幅装置は、半導体チップと、パッケージと、第1の帰還回路と、第2の帰還回路とを備える。パッケージは、金属製のベース、絶縁性の側壁、入力リード、及び出力リードを有する。入力リードは、半導体チップのゲートパッド群と接続される。出力リードは、半導体チップのドレインパッド群と接続される。各帰還回路は、金属製のベース上に設けられる誘電体基板と、誘電体基板上に配置された帰還抵抗と、帰還抵抗と直列に接続されたキャパシタとを有する。各帰還回路は、ゲートパッド群とドレインパッド群との間に接続されている。帰還回路は、第1及び第2の端辺の延在方向における半導体チップの一方側及び他方側のベース上にそれぞれ配置されている。
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