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1. WO2020241578 - SiC単結晶インゴットの製造方法

公開番号 WO/2020/241578
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020570
国際出願日 25.05.2020
IPC
C30B 29/36 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 23/06 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
06成膜室,基板または被蒸発物質の加熱
CPC
C30B 23/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
06Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
出願人
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 庄内 智博 SHONAI Tomohiro
  • 加藤 智久 KATO Tomohisa
代理人
  • 及川 周 OIKAWA Shu
  • 荒 則彦 ARA Norihiko
  • 勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo
優先権情報
2019-09844527.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN DE SiC
(JA) SiC単結晶インゴットの製造方法
要約
(EN) This method for producing a SiC single crystal ingot includes: a first step for forming a SiC modified layer on the main surface of a SiC seed crystal; and a second step for growing a SiC single crystal on the SiC modified layer by means of a sublimation method.
(FR) Ce procédé de production d'un lingot monocristallin de SiC comprend : une première étape consistant à former une couche modifiée au SiC sur la surface principale d'un germe cristallin de SiC; et une seconde étape consistant à faire croître un monocristal de SiC sur la couche modifiée au SiC au moyen d'un procédé de sublimation.
(JA) このSiC単結晶インゴットの製造方法は、SiC種結晶の主面に、SiC改質層を形成する第1工程と、前記SiC改質層上に、昇華法によりSiC単結晶を成長させる第2工程と、を有する。
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JP2021522755This application is not viewable in PATENTSCOPE because the national phase entry has not been published yet or the national entry is issued from a country that does not share data with WIPO or there is a formatting issue or an unavailability of the application.
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