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1. WO2020241576 - リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法および精製方法

公開番号 WO/2020/241576
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020562
国際出願日 25.05.2020
IPC
C08G 61/02 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
61高分子の主鎖に炭素―炭素連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
02高分子の主鎖に炭素原子のみを含む高分子化合物,例.ポリキシリレン
G03F 7/11 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H01L 21/027 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
C08G 61/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
61Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
02Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
出願人
  • 三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 山本 拓央 YAMAMOTO, Hiroaki
  • 牧野嶋 高史 MAKINOSHIMA, Takashi
  • 越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi
代理人
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
  • 内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko
優先権情報
2019-09841127.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, PATTERN FORMING METHOD AND PURIFICATION METHOD
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE POUR LA LITHOGRAPHIE, FILM DE SOUS-COUCHE POUR LA LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE PURIFICATION
(JA) リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法および精製方法
要約
(EN) The present invention addresses the problem of providing a composition for forming a resist underlayer film for lithography, which is characterized by having excellent planarization performance on a substrate with level difference, and having good embeddability with respect to a fine hole pattern, and which is also characterized in that the wafer surface after film formation is planarized. The above-described problem is able to be solved by the composition described below. A composition for forming an underlayer film for lithography, which contains (a) an oligomer having an aralkyl structure represented by formula (1-0), and (b) a solvent. (In the formula, Ar0 represents a phenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrylene group, a pyrylene group, a fluorylene group, a biphenylene group, a diphenylmethylene group or a terphenylene group; R0 moieties are substituents of Ar0, which may be the same groups or different groups, and each of which independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1-30 carbon atoms, an optionally substituted aryl group having 6-30 carbon atoms, an optionally substituted alkenyl group having 2-30 carbon atoms, an optionally substituted alkynyl group having 2-30 carbon atoms, an optionally substituted alkoxy group having 1-30 carbon atoms, an optionally substituted acryl group having 1-30 carbon atoms, an optionally substituted carboxyl group having 1-30 carbon atoms, an optionally substituted amino group having 0-30 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a thiol group or a heterocyclic group; X represents a linear or branched alkylene group; n represents an integer of 1-500; r represents an integer of 1-3; p represents a positive integer; and q represents a positive integer.)
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une composition pour former un film de sous-couche de réserve pour lithographie, qui est caractérisé en ce qu'il présente d'excellentes performances de planarisation sur un substrat avec une différence de niveau, et possède une bonne aptitude à l'incorporation par rapport à une configuration trous fine, et qui est également caractérisé en ce que la surface de galette après la formation de film est planarisée. La solution selon l'invention porte sur une composition capable de résoudre ledit problème et décrite ci-après. La composition pour former un film de sous-couche pour lithographie selon l'invention contient (a) un oligomère ayant une structure aralkyle représentée par la formule (1-0), et (b) un solvant. (Dans la formule, Ar0 représente un groupe phénylène, un groupe naphtylène, un groupe anthrylène, un groupe phénanthrylène, un groupe pyrylène, un groupe fluorène, un groupe biphénylène, un groupe diphénylméthylène ou un groupe terphénylène ; les fragments R0 sont des substituants d'Ar0, qui peuvent être les mêmes groupes ou des groupes différents, et dont chacun représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle facultativement substitué ayant 1-30 atomes de carbone, un groupe aryle facultativement substitué ayant 6-30 atomes de carbone, un groupe alcényle facultativement substitué ayant 2-30 atomes de carbone, un groupe alcynyle facultativement substitué ayant 2-30 atomes de carbone, un groupe alcoxy facultativement substitué ayant 1-30 atomes de carbone, un groupe acryle facultativement substitué ayant 1-30 atomes de carbone, un groupe carboxyle facultativement substitué ayant 1-30 atomes de carbone, un groupe amino facultativement substitué ayant 0-30 atomes de carbone, un atome d'halogène, un groupe cyano, un groupe nitro, un groupe thiol ou un groupe hétérocyclique ; X représente un groupe alkylène linéaire ou ramifié ; n représente un nombre entier valant de 1 à 500 ; r représente un nombre entier valant de 1 à 3 ; p représente un nombre entier positif ; et q représente un nombre entier positif.)
(JA) 本発明の課題は、段差基板上での平坦化性能に優れ、微細ホールパターンへの埋め込み性能が良好かつ成膜後のウェハ表面が平坦化される特徴を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成用組成物を提供することである。前記課題は、下記の組成物よって解決することができる。 a:下記式(1-0)で表されるアラルキル構造を有するオリゴマー、及び b:溶媒 を含むリソグラフィー用下層膜形成用組成物。 (式中、 Arはフェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナンスリレン基、ピリレン基、フルオリレン基、ビフェニレン基、ジフェニルメチレン基又はターフェニレン基を表し、 RはArの置換基であり、各々独立に、同一の基でも異なる基でもよく、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~30のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数2~30のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数2~30のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数1~30のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1~30のアシル基、置換基を有していてもよい炭素数1~30のカルボキシル基を含む基、置換基を有していてもよい炭素数0~30のアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、チオール基、又は複素環基を表し、 Xは直鎖あるい分岐のアルキレン基を表し nは1~500の整数を示し、 rは1~3の整数を示し、 pは正の整数を表し、 qは正の整数を表す。)
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