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1. WO2020241535 - 光センサおよびセンシング装置

公開番号 WO/2020/241535
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020440
国際出願日 25.05.2020
IPC
H01L 31/0248 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248半導体本体に特徴のあるもの
G02B 5/20 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
G02B 5/22 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
22吸収フィルター
CPC
G02B 5/20
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
20Filters
G02B 5/22
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
20Filters
22Absorbing filters
H01L 31/0248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 宮田 哲志 MIYATA Tetsushi
代理人
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKs & Co.
優先権情報
2019-10216431.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SENSOR AND SENSING DEVICE
(FR) CAPTEUR OPTIQUE ET DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 光センサおよびセンシング装置
要約
(EN) Provided are an optical sensor and a sensing device, the optical sensor having: a photoelectric conversion element that can acquire, as an electric signal, light in a wavelength band including an infrared range; and an optical member that is provided on a light incident side with respect to the photoelectric conversion element, wherein the photoelectric conversion element includes a quantum dot having a maximum absorption wavelength λmax in an infrared range having a wavelength of 800 nm or more, and also has an infrared light receiving unit that receives light in a wavelength band of the infrared range, and the optical member on a light-incident-side optical path with respect to the infrared light receiving unit of the photoelectric conversion element has a maximum transmittance of 60% or more for the infrared light having a wavelength of 800 nm or more and has an average transmittance of 10% or less for light having a wavelength of 400 to 650 nm.
(FR) L'invention concerne un capteur optique et un dispositif de détection, le capteur optique comprenant : un élément de conversion photoélectrique qui peut acquérir, en tant que signal électrique, de la lumière dans une bande de longueur d'onde qui comprend une plage infrarouge ; et un élément optique qui est prévu sur un côté incidence de lumière par rapport à l'élément de conversion photoélectrique, l'élément de conversion photoélectrique comprenant un point quantique qui ayant une longueur d'onde d'absorption maximale λmax dans une plage infrarouge, qui a une longueur d'onde de 800 nm ou plus, et comprend également une unité de réception de lumière infrarouge qui reçoit de la lumière dans une bande de longueur d'onde de la plage infrarouge, et l'élément optique sur un chemin optique côté incidence de lumière par rapport à l'unité de réception de lumière infrarouge de l'élément de conversion photoélectrique a une transmittance maximale de 60 % ou plus pour la lumière infrarouge qui a une longueur d'onde de 800 nm ou plus et a une transmittance moyenne de 10 % ou moins pour la lumière qui a une longueur d'onde de 400 à 650 nm.
(JA) 赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、光電変換素子は、波長800nm以上の赤外域に極大吸収波長λmaxを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長800nm以上の赤外域の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下である光センサ及びセンシング装置。
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