処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020241472 - 半導体装置、および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/241472
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020236
国際出願日 22.05.2020
IPC
H01L 23/29 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 日立Astemo株式会社 HITACHI ASTEMO, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 清水 悠佳 SHIMIZU Haruka
  • 松下 晃 MATSUSHITA Akira
  • 平尾 高志 HIRAO Takashi
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2019-10282731.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
要約
(EN) Provided is a semiconductor device in which a control electrode 2 corresponding to a gate electrode is disposed on one surface (upper surface in FIG. 1) of a semiconductor element 1. Further, a first electrode 3 corresponding to a source electrode is disposed on the one surface (upper surface in FIG. 1) of the semiconductor element 1 in parallel to the control electrode 2. A second electrode 4 corresponding to a drain electrode is disposed on another surface (lower surface in FIG. 1) of the semiconductor element 1. A distance A between opposing side surfaces of the control conductor block 5 and the first conductor block 6 is greater than a distance B between opposing side surfaces of the control electrode 2 and the first electrode 3. Thus, it is possible to fill the gap between the side surfaces with a first sealing resin 8 without the first sealing resin 8 generating voids.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur dans lequel une électrode de commande 2 correspondant à une électrode de grille est disposée sur une surface (surface supérieure de la FIG. 1) d'un élément semi-conducteur 1. En outre, une première électrode 3 correspondant à une électrode de source est disposée sur la première surface (surface supérieure de la FIG. 1) de l'élément semi-conducteur 1 en parallèle à l'électrode de commande 2. Une seconde électrode 4 correspondant à une électrode de drain est disposée sur une autre surface (surface inférieure de la FIG. 1) de l'élément semi-conducteur 1. Une distance A entre des surfaces latérales opposées du bloc conducteur de commande 5 et du premier bloc conducteur 6 est supérieure à une distance B entre des surfaces latérales opposées de l'électrode de commande 2 et de la première électrode 3. Ainsi, il est possible de remplir l'espace entre les surfaces latérales avec une première résine d'étanchéité 8 sans que ladite première résine d'étanchéité 8 génère des vides.
(JA) 半導体素子1の一方面(図1では上面)にゲート電極に相当する制御電極2を備える。さらに、半導体素子1の一方面(図1では上面)に、制御電極2と並列にソース電極に相当する第1電極3を備える。半導体素子1の他方面(図1では下面)にドレイン電極に相当する第2電極4を有する。制御導体ブロック5と第1導体ブロック6との対向する側面間の距離Aは、制御電極2と第1電極3との対向する側面間の距離Bよりも大きく形成される。このため、この間への第1封止樹脂8の充填において、第1封止樹脂8がボイドを発生させることなく充填させることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報