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1. WO2020241461 - ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法

公開番号 WO/2020/241461
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/020190
国際出願日 21.05.2020
IPC
C23C 16/458 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
458反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
H01L 21/683 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
C23C 16/458
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 久保 敦史 KUBO, Atsushi
  • 新藤 健弘 SHINDO, Takehiro
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-10065129.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) STAGE STRUCTURE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING STAGE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉTAGE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE STRUCTURE D'ÉTAGE
(JA) ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法
要約
(EN) Provided are a stage structure, a substrate processing device, and a method for controlling the stage structure, such that in-plane temperature uniformity of a substrate can be improved. The stage structure is equipped with: a disc-shaped mount base; an annular member disposed on the outer periphery side of the mount base and circumferentially divided at least into two sections; and a lifting unit for raising and lowering at least one of circular arc members formed when the annular member is divided.
(FR) L'invention concerne une structure d'étage, un dispositif de traitement de substrat et un procédé de commande de la structure d'étage qui permettent d'améliorer une uniformité de température dans le plan d'un substrat. La structure d'étage comprend : une base de montage en forme de disque; un élément annulaire disposé sur le côté périphérie externe de la base de montage et divisé circonférentiellement au moins en deux sections; et une unité de levage destinée à soulever et à abaisser au moins un élément parmi des éléments d'arc circulaires formés lorsque l'élément annulaire est divisé.
(JA) 基板温度の面内均一性を向上するステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法を提供する。 円板形状の載置台ベースと、前記載置台ベースの外周側に配置され、周方向に対して少なくとも2以上に分割される環状部材と、前記環状部材が分割されて形成される円弧部材の少なくとも1つを昇降させる昇降部と、を備える、ステージ構造体。
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