A substrate processing method according to the present disclosure comprises a preparation step, an embedding step, a surface seed layer removal step, a resin material removal step and a plating step. In the preparation step, a substrate (W) is prepared, said substrate (W) being provided with a recess (501) in the surface, while being provided with a seed layer (503) on the surface and on the inner surface of the recess. In the embedding step, the recess is filled with a resin material. In the surface seed layer removal step, the seed layer formed on the surface of the substrate is removed, while protecting the seed layer formed on the inner surface of the recess by means of the resin material. In the resin material removal step, the resin material filled in the recess is removed after the surface seed layer removal step. In the plating step, the recess is filled with a plating film (506) by forming the plating film in the recess by an electroless plating method after the resin material removal step.

La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat qui consiste en une étape de préparation, en une étape d’incorporation, en une étape de retrait de couche de germe de surface, en une étape de retrait de matériau de résine et en une étape de placage. Lors de l’étape de préparation, un substrat (W) est préparé, ledit substrat (W) comportant un évidement (501) dans la surface, tout en comportant une couche de germe (503) sur la surface et sur la surface intérieure de l’évidement. Lors de l’étape d’incorporation, l’évidement est rempli d’un matériau de résine. Lors de l’étape de retrait de couche de germe de surface, la couche de germe formée sur la surface du substrat est retirée, tout en protégeant la couche de germe formée sur la surface intérieure de l’évidement au moyen du matériau de résine. Lors de l’étape de retrait de matériau de résine, le matériau de résine remplissant l’évidement est retiré après l'étape de retrait de couche de germe de surface. Lors de l’étape de placage, l’évidement est rempli d’une pellicule de placage (506) en formant la pellicule de placage dans l’évidement selon un procédé de placage anélectrolytique après l’étape de retrait de matériau de résine.

本開示による基板処理方法は、準備工程と、埋込工程と、表面シード層除去工程と、樹脂材料除去工程と、めっき工程とを含む。準備工程は、表面に凹部（５０１）が形成され、且つ、表面および凹部の内面にシード層（５０３）が形成された基板（Ｗ）を準備する。埋込工程は、凹部に樹脂材料を埋め込む。表面シード層除去工程は、凹部の内面に形成されたシード層を樹脂材料で保護しつつ、基板の表面に形成されたシード層を除去する。樹脂材料除去工程は、表面シード層除去工程後、凹部に埋め込まれた樹脂材料を除去する。めっき工程は、樹脂材料除去工程後、凹部に無電解めっき法によるめっき膜（５０６）を形成して凹部をめっき膜で埋める。