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1. WO2020241295 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/241295
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/019380
国際出願日 15.05.2020
IPC
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
C23C 18/16 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
C23C 18/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
18被覆される材料の前処理
C23C 18/31 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
31金属による被覆
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 江▲崎▼ 智規 ESAKI, Tomonori
  • 稲富 裕一郎 INATOMI, Yuichiro
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-09997629.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
A substrate processing method according to the present disclosure comprises a preparation step, an embedding step, a surface seed layer removal step, a resin material removal step and a plating step. In the preparation step, a substrate (W) is prepared, said substrate (W) being provided with a recess (501) in the surface, while being provided with a seed layer (503) on the surface and on the inner surface of the recess. In the embedding step, the recess is filled with a resin material. In the surface seed layer removal step, the seed layer formed on the surface of the substrate is removed, while protecting the seed layer formed on the inner surface of the recess by means of the resin material. In the resin material removal step, the resin material filled in the recess is removed after the surface seed layer removal step. In the plating step, the recess is filled with a plating film (506) by forming the plating film in the recess by an electroless plating method after the resin material removal step.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat qui consiste en une étape de préparation, en une étape d’incorporation, en une étape de retrait de couche de germe de surface, en une étape de retrait de matériau de résine et en une étape de placage. Lors de l’étape de préparation, un substrat (W) est préparé, ledit substrat (W) comportant un évidement (501) dans la surface, tout en comportant une couche de germe (503) sur la surface et sur la surface intérieure de l’évidement. Lors de l’étape d’incorporation, l’évidement est rempli d’un matériau de résine. Lors de l’étape de retrait de couche de germe de surface, la couche de germe formée sur la surface du substrat est retirée, tout en protégeant la couche de germe formée sur la surface intérieure de l’évidement au moyen du matériau de résine. Lors de l’étape de retrait de matériau de résine, le matériau de résine remplissant l’évidement est retiré après l'étape de retrait de couche de germe de surface. Lors de l’étape de placage, l’évidement est rempli d’une pellicule de placage (506) en formant la pellicule de placage dans l’évidement selon un procédé de placage anélectrolytique après l’étape de retrait de matériau de résine.
(JA)
本開示による基板処理方法は、準備工程と、埋込工程と、表面シード層除去工程と、樹脂材料除去工程と、めっき工程とを含む。準備工程は、表面に凹部(501)が形成され、且つ、表面および凹部の内面にシード層(503)が形成された基板(W)を準備する。埋込工程は、凹部に樹脂材料を埋め込む。表面シード層除去工程は、凹部の内面に形成されたシード層を樹脂材料で保護しつつ、基板の表面に形成されたシード層を除去する。樹脂材料除去工程は、表面シード層除去工程後、凹部に埋め込まれた樹脂材料を除去する。めっき工程は、樹脂材料除去工程後、凹部に無電解めっき法によるめっき膜(506)を形成して凹部をめっき膜で埋める。
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