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1. WO2020241289 - 固体撮像装置、及びそれを用いる撮像装置

公開番号 WO/2020/241289
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/019359
国際出願日 14.05.2020
IPC
H04N 5/347 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
341走査回路の制御による固体撮像素子からの画素データの取得に特徴のあるもの,例.画素数の変更
347固体撮像素子における画素の加算または混合
H04N 5/357 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
357ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H04N 5/359 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
357ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
359露光により発生した過剰電荷に対して適用されるもの,例.スメア,ブルーミング,ゴースト画像,画素間の漏洩もしくはクロストーク
H04N 5/3745 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/347
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
341Extracting pixel data from an image sensor by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels having been sampled or to be sampled
347by combining or binning pixels in SSIS
H04N 5/357
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
H04N 5/359
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
359applied to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
出願人
  • ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN [JP]/[JP]
発明者
  • 生熊 誠 IKUMA, Makoto
  • 網川 裕之 AMIKAWA, Hiroyuki
  • 小野澤 和利 ONOZAWA, Kazutoshi
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
2019-10337831.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE USING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE L'UTILISANT
(JA) 固体撮像装置、及びそれを用いる撮像装置
要約
(EN) This solid-state imaging device is provided with: an overflow element group for accumulating signal charges that have overflowed in a photodiode (PD); and a floating diffusion layer (FD) for selectively holding signal charges transferred from the photodiode (PD) and signal charges transferred from the overflow element group. The overflow element group is composed of m sets (m≧2) of an overflow element (OF1) and a storage capacitor element (C1), the sets being connected in series in stages. The overflow element (OF1 to OFm) transfers signal charges that have overflowed in the photodiode (PD) or signal charges of the storage capacitor element (C1) of a previous stage to the storage capacitor element (C1 to Cm) in the same set as that of the overflow element (OF1 to OFm).
(FR) Dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprenant : un groupe d'éléments de débordement permettant d'accumuler des charges de signal qui ont débordé dans une photodiode (PD); et une couche de diffusion flottante (FD) servant à maintenir sélectivement des charges de signal transférées depuis la photodiode (PD) et des charges de signal transférées depuis le groupe d'éléments de débordement. Le groupe d'éléments de débordement est composé de m ensembles (m ≧ 2) d'un élément de débordement (OF1) et d'un élément de condensateur de stockage (C1), les ensembles étant reliés en série dans des étages. L'élément de débordement (OF1 à OFm) transfère des charges de signal qui ont débordé dans la photodiode (PD) ou des charges de signal de l'élément de condensateur de stockage (C1) d'un étage précédent à l'élément de condensateur de stockage (C1 à Cm) dans le même ensemble que celui de l'élément de débordement (OF1 à OFm).
(JA) 固体撮装置は、フォトダイオード(PD)で溢れた信号電荷を蓄積するオーバーフロー素子群と、フォトダイオード(PD)から転送された信号電荷、および、オーバーフロー素子群から転送された信号電荷を選択的に保持する浮遊拡散層(FD)とを備え、オーバーフロー素子群は、オーバーフロー素子(OF1)と蓄積容量素子(C1)を1組とし、直列に段階的に接続されたm組(m≧2)で構成され、オーバーフロー素子(OF1~OFm)は、フォトダイオード(PD)で溢れた信号電荷または前段の蓄積容量素子(C1)の信号電荷を、当該オーバーフロー素子(OF1~OFm)と同じ組内の蓄積容量素子(C1~Cm)に転送する。
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