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1. WO2020241277 - 感放射線性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法及び化合物

公開番号 WO/2020/241277
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/019254
国際出願日 14.05.2020
IPC
C08F 220/22 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
22ハロゲンを含有するエステル
G03F 7/004 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/039 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/20 2006.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08F 220/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
22Esters containing halogen
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 桐山 和也 KIRIYAMA,Kazuya
  • 錦織 克聡 NISHIKORI,Katsuaki
  • 谷口 拓弘 TANIGUCHI,Takuhiro
  • 根本 龍一 NEMOTO,Ryuichi
  • 丸山 研 MARUYAMA,Ken
代理人
  • 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2019-09840127.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND COMPOUND
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE ET COMPOSÉ
(JA) 感放射線性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法及び化合物
要約
(EN) Provided are: a radiation-sensitive resin composition capable of exerting sufficient levels of CDU performance, LWR performance and defect-suppression performance; a method for forming a resist pattern; and a compound. A radiation-sensitive resin composition which comprises a resin having a partial structure represented by formula (1), a radiation-sensitive acid generator and a solvent. (In formula (1), R1 and R2 independently represent each a substituted or unsubstituted chain aliphatic hydrocarbon group having 1-6 carbon atoms or a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3-6 carbon atoms, or R1 and R2 are bonded to each other and form a 3- to 6-membered cyclic structure together with the carbon atom to which these groups are bonded. R3 represents a monovalent fluorinated alicyclic hydrocarbon group having 4-20 carbon atoms. In R1 and R2, no fluorine atom is bonded to the carbon atoms located at the α-, β- and γ-positions of the carbon atom to which R1 and R2 are bonded. In R3, no fluorine atom is bonded to the carbon atoms located at the α- and β-positions of the carbon atom to which R3 is bonded. * represents a bond.)
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible au rayonnement capable d'exercer des niveaux suffisants de performance de CDU, de performance de LWR et de performance de suppression de défauts ; un procédé de formation d'un motif de réserve ; et un composé. L'invention concerne également une composition de résine sensible au rayonnement qui comprend une résine ayant une structure partielle représentée par la formule (1), un générateur d'acide sensible au rayonnement et un solvant. (Dans la formule (1), R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarboné aliphatique à chaîne substituée ou non substituée ayant 1 à 6 atomes de carbone ou un groupe hydrocarboné alicyclique substitué ou non substitué ayant 3 à 6 atomes de carbone, ou R1 et R2 sont liés l'un à l'autre et forment une structure cyclique de 3 à 6 éléments avec l'atome de carbone auquel ces groupes sont liés. R3 représente un groupe hydrocarboné alicyclique fluoré monovalent ayant 4-20 atomes de carbone. Dans R1 et R2, aucun atome de fluor n'est lié aux atomes de carbone situés aux positions α, β et γ de l'atome de carbone auquel sont liés R1 et R2. Dans R3, aucun atome de fluor n'est lié aux atomes de carbone situés sur les positions α et β de l'atome de carbone auquel est lié R3. * représente une liaison.)
(JA) CDU性能やLWR性能、欠陥抑制性能を十分なレベルで発揮可能な感放射線性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法及び化合物を提供する。下記式(1)で表される部分構造を有する樹脂、感放射線性酸発生剤、及び溶剤を含む感放射線性樹脂組成物。(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して、炭素数1~6の置換又は非置換の鎖状脂肪族炭化水素基若しくは炭素数3~6の置換又は非置換の脂環式炭化水素基であるか、又はR及びRは互いに合わせられてこれらが結合する炭素原子とともに構成される環員数3~6の環構造の一部である。Rは、フッ素原子を含む炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。ただし、R及びRにおいて、R及びRが結合する炭素原子のα位、β位及びγ位に位置する炭素原子にはフッ素原子は結合しない。Rにおいて、Rが結合する炭素原子のα位及びβ位に位置する炭素原子にはフッ素原子は結合しない。*は結合手である。)
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