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1. WO2020241184 - III族化合物基板の製造方法及びIII族化合物基板

公開番号 WO/2020/241184
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018471
国際出願日 01.05.2020
IPC
C30B 29/38 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C23C 16/458 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
458反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
C30B 25/12 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
12基板保持体またはサセプタ
C30B 25/18 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
H01L 21/205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C23C 16/458
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 久保田 芳宏 KUBOTA, Yoshihiro
  • 永田 和寿 NAGATA, Kazutoshi
代理人
  • 田口 昌浩 TAGUCHI, Masahiro
  • 虎山 滋郎 TORAYAMA, Jiro
  • 伊藤 高志 ITO, Takashi
  • 鈴木 康義 SUZUKI, Yasuyoshi
優先権情報
2019-09873827.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III COMPOUND SUBSTRATE, AND GROUP III COMPOUND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE COMPOSÉ DE GROUPE III ET SUBSTRAT DE COMPOSÉ DE GROUPE III
(JA) III族化合物基板の製造方法及びIII族化合物基板
要約
(EN) A method for manufacturing a group III compound substrate according to the present invention is a method for manufacturing a group III compound substrate by growing a group III compound crystal (1) on a fixed seed crystal (3) placed on a susceptor (2) through vapor-phase growth, the method being characterized in that a peelable material having cleavability is used for at least one member among the susceptor (2) and the seed crystal (3). A group III compound substrate is characterized by being obtained by the method for manufacturing a group III compound substrate according to the present invention. The present invention can provide a method for manufacturing a group III compound substrate and a substrate manufactured by the method, in which a large-sized GaN crystal substrate having higher quality is obtained at low cost while making use of advantages of a high film forming speed that is an advantage of the vapor growth method.
(FR) Un procédé de fabrication d'un substrat de composé de groupe III selon la présente invention est un procédé de fabrication d'un substrat de composé de groupe III par croissance d'un cristal de composé de groupe III (1) sur un germe cristallin fixe (3) placé sur un suscepteur (2) par croissance en phase vapeur, le procédé étant caractérisé en ce qu'un matériau pelable ayant une aptitude au clivage est utilisé pour au moins un élément parmi le suscepteur (2) et le germe cristallin (3). Un substrat de composé de groupe III est caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé de fabrication d'un substrat de composé de groupe III selon la présente invention. La présente invention peut fournir un procédé de fabrication d'un substrat de composé de groupe III et un substrat fabriqué par le procédé, un substrat de cristal de GaN de grande taille ayant une qualité supérieure étant obtenu à faible coût tout en utilisant les avantages d'une vitesse de formation de film élevée qui est un avantage du procédé de croissance en phase vapeur.
(JA) 本発明のIII族化合物基板の製造方法は、サセプター(2)に載置され、固定された種結晶(3)に、気相成長法により、III族化合物の結晶(1)を成長させるIII族化合物基板の製造方法であり、サセプター(2)及び種結晶(3)の少なくとも一方の部材に剥離可能な劈開性を有する物質を用いることを特徴とする。III族化合物基板は、本発明のIII族化合物基板の製造方法により製造されることを特徴とする。本発明により、気相成長法の特長である、高成膜速度の特長を生かしつつ、より高品質な大型GaN結晶基板が低コストで得られるIII族化合物基板の製造方法及びその製造方法で製造された基板を提供できる。
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