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1. WO2020241169 - 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2020/241169
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018226
国際出願日 30.04.2020
IPC
H01L 51/42 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 31/10 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
出願人
  • ソニーグループ株式会社 SONY GROUP CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中野 博史 NAKANO Hiroshi
  • 森脇 俊貴 MORIWAKI Toshiki
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2019-09745824.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING ELEMENT, LAMINATION-TYPE IMAGING ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE DE TYPE STRATIFIÉ, ET ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、撮像素子の製造方法
要約
(EN) An imaging element according to the present disclosure comprises a photoelectric conversion unit formed by laminating a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A made of an organic material, and a second electrode 22, wherein an inorganic semiconductor material layer 23B is formed between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A, and a value ΔEN (=ENanion-ENcation) obtained by subtracting an average value ENcation of electronegativity of cationic species constituting the inorganic semiconductor material layer from an average value ENanion of electronegativity of anionic species constituting the inorganic semiconductor material layer 23B is less than 1.695, preferably, 1.624 or less.
(FR) Un élément d'imagerie selon la présente invention comprend une unité de conversion photoélectrique formée par stratification d'une première électrode (21), d'une couche de conversion photoélectrique (23A) constituée d'un matériau organique, et d'une seconde électrode (22), une couche de matériau semi-conducteur inorganique (23B) étant formée entre la première électrode (21) et la couche de conversion photoélectrique (23A), et une valeur ΔEN (=ENanion-ENcation) obtenue par soustraction d'une valeur moyenne ENcation d'électronégativité d'espèces cationiques constituant la couche de matériau semi-conducteur inorganique à une valeur moyenne ENanion d'électronégativité d'espèces anioniques dont est constituée la couche de matériau semi-conducteur inorganique étant inférieure à 1,695, de préférence inférieure à 1,624.
(JA) 本開示の撮像素子は、第1電極21、有機系材料から成る光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には、無機半導体材料層23Bが形成されており、無機半導体材料層23Bを構成するアニオン種の電気陰性度の平均値ENanionから、無機半導体材料層を構成するカチオン種の電気陰性度の平均値ENcationを減じた値ΔEN(=ENanion-ENcation)は、1.695未満、好ましくは、1.624以下である。
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