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1. WO2020241163 - 撮像装置および電子機器

公開番号 WO/2020/241163
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018154
国際出願日 28.04.2020
IPC
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/374 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 荒井 英樹 ARAI, Hideki
  • 大竹 悠介 OTAKE, Yusuke
  • 村瀬 拓郎 MURASE, Takuro
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2019-10034229.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像装置および電子機器
要約
(EN) Provided is an imaging device that can exert a superior imaging performance. This imaging device is provided with a semiconductor layer, a pixel separation part, a plurality of photoelectric conversion parts, and a plurality of electric charge voltage conversion parts. The semiconductor layer includes an obverse surface spreading in the in-plane direction and a reverse surface positioned opposite to the obverse surface in the thickness direction. The pixel separation part extends in the thickness direction from the obverse surface to the reverse surface, and separates the semiconductor layer into a plurality of pixel regions in the in-plane direction. The plurality of photoelectric conversion parts are provided to the plurality of pixel regions, in the semiconductor layer, separated by the pixel separation part, and are each capable of generating an electric charge, through photoelectric conversion, in accordance with the amount of light entering through the reverse surface. The plurality of electric charge voltage conversion parts are provided to a plurality of gaps between the pixel separation part and the plurality of photoelectric conversion parts in the plurality of pixel regions in the in-plane direction. The electric charge voltage conversion parts store electric charges generated in the plurality of photoelectric conversion parts, convert the stored electric charges into electric signals, and output the electric signals.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie qui peut exercer une performance d'imagerie supérieure. Ce dispositif d'imagerie est pourvu d'une couche semi-conductrice, d'une partie de séparation de pixels, d'une pluralité de parties de conversion photoélectrique et d'une pluralité de parties de conversion de tension de charge électrique. La couche semi-conductrice comprend une surface avers s'étendant dans la direction dans le plan et une surface revers positionnée à l'opposé de la surface avers dans la direction de l'épaisseur. La partie de séparation de pixels s'étend dans la direction de l'épaisseur depuis la surface avers jusqu'à la surface revers et sépare la couche semi-conductrice en une pluralité de régions de pixels dans la direction dans le plan. La pluralité de parties de conversion photoélectrique est disposée sur la pluralité de régions de pixel, dans la couche semi-conductrice, séparée par la partie de séparation de pixel, et chacune d'entre elle est capable de générer une charge électrique, par conversion photoélectrique, en fonction de la quantité de lumière entrant à travers la surface revers. La pluralité de parties de conversion de tension de charge électrique est disposée sur une pluralité d'espaces entre la partie de séparation de pixel et la pluralité de parties de conversion photoélectrique dans la pluralité de régions de pixel dans la direction dans le plan. Les parties de conversion de tension de charge électrique stockent des charges électriques générées dans la pluralité de parties de conversion photoélectrique, convertissent les charges électriques stockées en signaux électriques et délivrent en sortie les signaux électriques.
(JA) より優れた撮像性能を発揮することのできる撮像装置を提供する。この撮像装置は、半導体層と、画素分離部と、複数の光電変換部と、複数の電荷電圧変換部とを備える。半導体層は、面内方向に広がる表面と、厚さ方向において表面と反対側に位置する裏面とを含む。画素分離部は、厚さ方向において表面から裏面に至るまで延在し、面内方向において半導体層を複数の画素領域に分離する。複数の光電変換部は、半導体層のうち、画素分離部により分離された複数の画素領域の各々に設けられ、裏面からの入射光の光量に応じた電荷を光電変換によりそれぞれ生成可能である。複数の電荷電圧変換部は、面内方向において複数の画素領域のうち複数の光電変換部と画素分離部との間の複数の間隙領域にそれぞれ設けられ、複数の光電変換部の各々において生成された電荷をそれぞれ蓄積すると共に蓄積された電荷を電気信号にそれぞれ変換して出力する。
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