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1. WO2020241158 - ドライバ回路、及びスイッチシステム

公開番号 WO/2020/241158
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018104
国際出願日 28.04.2020
IPC
H02M 1/08 2006.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H03K 17/04 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
04スイッチ動作の高速化のための変形
H03K 17/0412 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
04スイッチ動作の高速化のための変形
041出力回路から制御回路への帰還のないもの
0412制御回路において採られた手段によるもの
H03K 17/60 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
60装置がバイポーラトランジスタであるもの
H03K 17/687 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H03K 17/04
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
H03K 17/0412
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
041without feedback from the output circuit to the control circuit
0412by measures taken in the control circuit
H03K 17/60
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
60the devices being bipolar transistors
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 木下 雄介 KINOSHITA, Yusuke
  • 一柳 貴志 ICHIRYU, Takashi
  • 鹿又 龍介 KANOMATA, Ryusuke
  • 石田 秀俊 ISHIDA, Hidetoshi
代理人
  • 特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2019-10172330.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRIVER CIRCUIT AND SWITCH SYSTEM
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE ET SYSTÈME DE COMMUTATION
(JA) ドライバ回路、及びスイッチシステム
要約
(EN) According to the present invention, a turn-on time is shortened without using a large-capacitance capacitor. A speed-up circuit (14) is provided between a power supply terminal (11) and a gate (21) of a semiconductor switch element (2). An impedance element (15) is provided between a signal input terminal (13) and a node (N1) between the speed-up circuit (14) and the gate (21) of the semiconductor switch element (2). In the speed-up circuit (14), a second field-effect transistor (Q2) is connected in series to a first field-effect transistor (Q1), and is connected to the gate (21) of the semiconductor switch element (2). The impedance of the impedance element (15) is higher than the impedance of the speed-up circuit (14) when both the first field-effect transistor (Q1) and the second field-effect transistor (Q2) are turned on.
(FR) Selon la présente invention, un temps de mise en marche est raccourci sans recourir à un condensateur à capacité élevée. Un circuit d'accélération (14) est disposé entre une borne d'alimentation électrique (11) et une grille (21) d'un élément de commutation à semi-conducteur (2). Un élément d'impédance (15) est disposé entre une borne d'entrée de signal (13) et un nœud (N1) entre le circuit d'accélération (14) et la grille (21) de l'élément de commutation à semi-conducteur (2). Dans le circuit d'accélération (14), un second transistor à effet de champ (Q2) est connecté en série à un premier transistor à effet de champ (Q1), et est connecté à la grille (21) de l'élément de commutation à semi-conducteur (2). L'impédance de l'élément d'impédance (15) est supérieure à l'impédance du circuit d'accélération (14) quand le premier transistor à effet de champ (Q1) et le second transistor à effet de champ (Q2) sont activés.
(JA) 容量の大きなコンデンサを用いずにターンオン時間の短縮化を図る。スピードアップ回路(14)は、電源端子(11)と半導体スイッチ素子(2)のゲート(21)との間に設けられる。インピーダンス素子(15)は、スピードアップ回路(14)と半導体スイッチ素子(2)のゲート(21)との間のノード(N1)と、信号入力端子(13)と、の間に設けられる。スピードアップ回路(14)では、第2の電界効果トランジスタ(Q2)は、第1の電界効果トランジスタ(Q1)に直列接続されており、半導体スイッチ素子(2)のゲート(21)に接続される。インピーダンス素子(15)のインピーダンスは、第1の電界効果トランジスタ(Q1)と第2の電界効果トランジスタ(Q2)との両方がオン状態のときのスピードアップ回路(14)のインピーダンスよりも高い。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報