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1. WO2020241116 - フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク

公開番号 WO/2020/241116
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017009
国際出願日 20.04.2020
IPC
G03F 1/32 2012.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G03F 1/58 2012.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54吸収材,例.不透明な材料
582つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
G03F 1/82 2012.1
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
82補助的なプロセス,例.クリーニング
CPC
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 1/58
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
54Absorbers, e.g. of opaque materials
58having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
G03F 1/82
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松橋 直樹 MATSUHASHI Naoki
  • 笹本 紘平 SASAMOTO Kouhei
代理人
  • 特許業務法人英明国際特許事務所 PATENT PROFESSIONAL CORPORATION EI-MEI PATENT OFFICE
優先権情報
2019-10216231.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOMASK BLANK, METHOD FOR PRODUCING PHOTOMASK, AND PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PHOTOMASQUE ET PHOTOMASQUE
(JA) フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
要約
(EN) The present invention provides a photomask blank which exhibits high adhesion of a resist film to a film containing chromium, and which is capable of achieving good resolution limit and good CD linearity during the formation of an assist pattern of a line pattern, said assist pattern supplementing the resolution of the main pattern of a photomask. A photomask blank (511) according to the present invention is provided, on a substrate, with: a film (21) to be processed; and, sequentially from the far side from the substrate, a first layer (311) which contains oxygen and nitrogen, while having a chromium content of 40% by atom or less, an oxygen content of 50% by atom or more, a nitrogen content of 10% by atom or less and a thickness of 6 nm or less, a second layer (312) which contains oxygen, nitrogen and carbon, while having a chromium content of 40% by atom or less, an oxygen content of 30% by atom or more, a nitrogen content of 17% by atom or more, a carbon content of 13% by atom or less and a thickness of 46 nm or more, and a third layer (313) which contains oxygen and nitrogen, while having a chromium content of 50% by atom or more, an oxygen content of 20% by atom or less and a nitrogen content of 30% by atom or more.
(FR) La présente invention concerne une ébauche de photomasque qui présente une adhérence élevée d'un film de réserve sur un film contenant du chrome et qui est capable d'atteindre une bonne limite de résolution et une bonne linéarité de CD pendant la formation d'un motif d'assistance d'un motif de ligne, ledit motif d'assistance augmentant la résolution du motif principal d'un photomasque. Une ébauche de photomasque (511) selon la présente invention est pourvue, sur un substrat, des éléments suivants : un film (21) à traiter ; et, séquentiellement depuis le côté le plus éloigné par rapport au substrat, une première couche (311) qui contient de l'oxygène et de l'azote tout en ayant une teneur en chrome de 40 % atomique ou moins, une teneur en oxygène de 50 % atomique ou plus, une teneur en azote de 10 % atomique ou moins et une épaisseur inférieure ou égale à 6 nm, une seconde couche (312) qui contient de l'oxygène, de l'azote et du carbone tout en ayant une teneur en chrome de 40 % atomique ou moins, une teneur en oxygène de 30 % atomique ou plus, une teneur en azote de 17 % atomique ou plus, une teneur en carbone de 13 % atomique ou moins et une épaisseur de 46 nm ou plus, et une troisième couche (313) qui contient de l'oxygène et de l'azote tout en ayant une teneur en chrome de 50 % atomique ou plus, une teneur en oxygène de 20 % atomique ou moins et une teneur en azote de 30 % atomique ou plus.
(JA) クロムを含有する膜に対するレジスト膜の密着性が高く、フォトマスクのメインパターンの解像性を補助する、ラインパターンのアシストパターンの形成において、良好な解像限界、良好なCDリニアリティが達成できるフォトマスクブランクを提供する。 フォトマスクブランク(511)は、基板上に、被加工膜(21)と、基板から離間する側から、酸素及び窒素を含有し、クロム含有率が40原子%以下、酸素含有率が50原子%以上、窒素含有率が10原子%以下、厚さが6nm以下である第1層(311)、酸素、窒素及び炭素を含有し、クロム含有率が40原子%以下、酸素含有率が30原子%以上、窒素含有率が17原子%以上、炭素含有率が13原子%以下、厚さが46nm以上である第2層(312)、酸素及び窒素を含有し、クロム含有率が50原子%以上、酸素含有率が20原子%以下、窒素含有率が30原子%以上である第3層(313)を備える。
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