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1. WO2020241082 - 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置

公開番号 WO/2020/241082
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/015978
国際出願日 09.04.2020
IPC
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01R 31/302
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
302Contactless testing
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 竹嶋 智親 TAKESHIMA Tomochika
  • 樋口 貴文 HIGUCHI Takafumi
  • 堀田 和宏 HOTTA Kazuhiro
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2019-10228231.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE EXAMINATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE EXAMINATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'INSPECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
要約
(EN) This semiconductor device examination method includes: a step for acquiring a first interference waveform based on signals from a plurality of drive elements of a semiconductor device, such acquisition being in accordance with light from a first light beam spot which includes the plurality of drive elements; a step for acquiring a second interference wave form based on signals from the plurality of drive elements, such acquisition being in accordance with light from a second light beam spot the region of which overlaps a section of the first spot and which includes the plurality of drive elements; and a step for, on the basis of the first and the second interference waveforms, dividing waveform signals of each drive element within the first and second spots.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'inspection de dispositif semi-conducteur comprenant : une étape consistant à acquérir une première forme d'onde d'interférence sur la base de signaux provenant d'une pluralité d'éléments d'entraînement d'un dispositif semi-conducteur, une telle acquisition étant conforme à la lumière provenant d'un premier point de faisceau lumineux qui comprend la pluralité d'éléments d'entraînement ; une étape consistant à acquérir une seconde forme d'onde d'interférence sur la base de signaux provenant de la pluralité d'éléments d'entraînement, une telle acquisition étant conforme à la lumière provenant d'un second point de faisceau lumineux dont la région chevauche une section du premier point et qui comprend la pluralité d'éléments d'entraînement ; et une étape consistant à diviser, sur la base des première et seconde formes d'onde d'interférence, des signaux de forme d'onde de chaque élément d'entraînement à l'intérieur des premier et second points.
(JA) 半導体デバイス検査方法は、半導体デバイスにおける複数の駆動素子が含まれた第1の光ビームスポットからの光に応じて、複数の駆動素子からの信号に基づく第1の混信波形を取得するステップと、第1のスポットの一部と領域が重複し複数の駆動素子が含まれた第2の光ビームスポットからの光に応じて、複数の駆動素子からの信号に基づく第2の混信波形を取得するステップと、第1及び第2の混信波形に基づいて、第1及び第2のスポット内の駆動素子毎に波形信号を分離するステップと、を備える。
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EP2020814768This application is not viewable in PATENTSCOPE because the national phase entry has not been published yet or the national entry is issued from a country that does not share data with WIPO or there is a formatting issue or an unavailability of the application.
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