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1. WO2020241077 - 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記憶媒体

公開番号 WO/2020/241077
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/015900
国際出願日 09.04.2020
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 日野出 大輝 HINODE Taiki
  • 江戸 徹 EDO Toru
  • 篠原 健介 SHINOHARA Kensuke
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2019-09841327.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, PROGRAM, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROGRAMME, ET SUPPORT D'INFORMATIONS LISIBLE PAR ORDINATEUR
(JA) 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記憶媒体
要約
(EN) In order to improve substrate quality, this substrate processing device is provided with a substrate holding unit, a first drive unit, a chemical discharge unit, a cup unit, a second drive unit, and a control unit. The substrate holding unit holds a substrate in a horizontal orientation, said substrate having a first surface and a second surface opposite of the first surface. The first drive unit rotates the substrate holding unit about an imaginary axis. The chemical discharge unit discharges a chemical towards the first surface of the substrate held by the substrate holding unit. The cup unit surrounds the substrate holding unit. The second drive unit changes the vertical-direction position of the cup unit relative to that of the substrate holding unit. While rotating the substrate holding unit about the imaginary axis by means of the first drive unit, the control unit changes the vertical-direction position of the cup unit relative to that of the substrate holding unit by means of the second drive unit while performing chemical treatment for treating the first surface of the substrate held by the substrate holding unit by the chemical discharge unit discharging the chemical towards the first surface.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de traitement de substrat pouvant améliorer la qualité du substrat, comprenant une unité de maintien de substrat, une première unité d'entraînement, une unité d'évacuation de produit chimique, une unité coupelle, une seconde unité d'entraînement, et une unité de commande. L'unité de maintien de substrat maintient un substrat dans une orientation horizontale, ledit substrat présentant une première surface et une seconde surface opposée à la première surface. La première unité d'entraînement fait tourner l'unité de maintien de substrat autour d'un axe imaginaire. L'unité d'évacuation de produit chimique évacue un produit chimique vers la première surface du substrat maintenu par l'unité de maintien de substrat. L'unité coupelle entoure l'unité de maintien de substrat. La seconde unité d'entraînement modifie la position en sens vertical de l'unité coupelle par rapport à celle de l'unité de maintien de substrat. Tout en faisant tourner l'unité de maintien de substrat autour de l'axe imaginaire au moyen de la première unité d'entraînement, l'unité de commande modifie la position en sens vertical de l'unité coupelle par rapport à celle de l'unité de maintien de substrat au moyen de la seconde unité d'entraînement tout en effectuant un traitement chimique destiné à traiter la première surface du substrat maintenu par l'unité de maintien de substrat par l'intermédiaire de l'unité d'évacuation de produit chimique évacuant le produit chimique vers la première surface.
(JA) 基板の品質を向上させるために、基板処理装置は、基板保持部と、第1駆動部と、薬液吐出部と、カップ部と、第2駆動部と、制御部と、を備える。基板保持部は、第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する。第1駆動部は、仮想軸を中心として基板保持部を回転させる。薬液吐出部は、基板保持部に保持された基板の第1面に向けて薬液を吐出する。カップ部は、基板保持部の周囲を取り囲む。第2駆動部は、基板保持部に対するカップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる。制御部は、第1駆動部によって仮想軸を中心として基板保持部を回転させながら、薬液吐出部によって基板保持部に保持された基板の第1面に向けて薬液を吐出させて第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、第2駆動部によって基板保持部に対するカップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる。
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