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1. WO2020241033 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/241033
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014597
国際出願日 30.03.2020
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 石井 弘晃 ISHII, Hiroaki
  • ▲高▼岡 誠 TAKAOKA, Makoto
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2019-10023829.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN) A substrate W, a central part of which is supported by a spin chuck 5, is rotated about a rotation axis A1. In an outer peripheral part etching step, an etching liquid is ejected from an ejection port 6a of a treatment liquid nozzle 6 toward a liquid application position 105 that is provided in an upper surface peripheral part 102 of the rotating substrate W. In the outer peripheral part etching step, the height of the upper surface peripheral part 102 (the height distortion HD of the upper surface peripheral part 102) is monitored, and the liquid application position 105 is moved in the radial direction RD on the basis of the thus-obtained height distortion HD of the upper surface peripheral part 102 (height distortion monitoring step (S6) and liquid application position moving step (S7)). Consequently, the inner peripheral position LFa of a liquid film LF that is formed of the etching liquid supplied to the liquid application position 105 is adjusted to come closer to a predetermined position.
(FR) Selon l'invention, un substrat W, dont une partie centrale est supportée par un mandrin rotatif 5, est mis en rotation autour d'un axe de rotation A1. À une étape de gravure de partie périphérique extérieure, un liquide de gravure est éjecté par un orifice d'éjection 6a d'une buse de liquide de traitement 6 vers une position d'application de liquide 105 qui est située dans une partie périphérique de surface supérieure 102 du substrat W en rotation. À l'étape de gravure de partie périphérique extérieure, la hauteur de la partie périphérique de surface supérieure 102 (la distorsion de hauteur HD de la partie périphérique de surface supérieure 102) est surveillée, et la position d'application de liquide 105 est déplacée dans la direction radiale RD sur la base de la distorsion de hauteur HD ainsi obtenue de la partie périphérique de surface supérieure 102 (étape de surveillance de distorsion de hauteur (S6) et étape de déplacement de position d'application de liquide (S7)). Par conséquent, la position périphérique intérieure LFa d'un film liquide LF qui est formé du liquide de gravure apporté à la position d'application de liquide 105 est ajustée pour se rapprocher d'une position prédéterminée.
(JA) スピンチャック5によって中央部が支持されている基板Wを、回転軸線A1まわりに回転させる。外周部エッチング工程では、回転している基板Wの上面外周部102に設けられた着液位置105に向けて、処理液ノズル6の吐出口6aからエッチング液を吐出する。外周部エッチング工程において、上面外周部102の高さ(上面外周部102の高さ歪HD)を監視し、求められた上面外周部102の高さ歪HDに基づいて径方向RDに着液位置105を移動させる(高さ歪監視工程(S6) & 着液位置移動工程(S7))。これにより、着液位置105に供給されるエッチング液によって形成される液膜LFの内周位置LFaが、所期位置に近づくように調整される。
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