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1. WO2020241022 - 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置

公開番号 WO/2020/241022
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013569
国際出願日 26.03.2020
IPC
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 尾辻 正幸 OTSUJI, Masayuki
  • 藤原 直澄 FUJIWARA, Naozumi
  • 佐々木 悠太 SASAKI, Yuta
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2019-10014029.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING LIQUID CONTAINING SUBLIMABLE SUBSTANCE, SUBSTRATE DRYING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LIQUIDE CONTENANT UNE SUBSTANCE SUBLIMABLE, PROCÉDÉ DE SÉCHAGE DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置
要約
(EN) According to the present invention, a sublimable substance is selected on the basis of whether the surface of a pattern is hydrophilic or hydrophobic. In cases where the surface of a pattern is hydrophilic, a solvent for hydrophilic cases is selected, said solvent having lower solubility in water than the selected sublimable substance; and in cases where the surface of a pattern is hydrophobic, a solvent for hydrophobic cases is selected, said solvent having lower solubility in oils than the selected sublimable substance. The selected sublimable substance is dissolved in the selected solvent.
(FR) Selon la présente invention, une substance sublimable est sélectionnée en fonction du fait que la surface d'un motif est hydrophile ou hydrophobe. Dans les cas où la surface d'un motif est hydrophile, un solvant pour les cas hydrophiles est sélectionné, ledit solvant ayant une solubilité dans l'eau inférieure à celle de la substance sublimable sélectionnée; et dans les cas où la surface d'un motif est hydrophobe, un solvant pour les cas hydrophobes est sélectionné, ledit solvant ayant une solubilité dans les huiles inférieure à celle de la substance sublimable sélectionnée. La substance sublimable sélectionnée est dissoute dans le solvant sélectionné.
(JA) パターンの表面が親水性および疎水性のいずれであるかに基づいて昇華性物質を選択する。パターンの表面が親水性である場合、選択された昇華性物質よりも水に対する溶解度が小さい親水用の溶媒を選択し、パターンの表面が疎水性である場合、選択された昇華性物質よりも油に対する溶解度が小さい疎水用の溶媒を選択する。選択された溶媒に選択された昇華性物質を溶解させる。
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