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1. WO2020240866 - 半導体デバイス

公開番号 WO/2020/240866
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/021865
国際出願日 31.05.2019
IPC
H01L 21/52 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
B22F 7/08 2006.1
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
F金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
7成形を行いまたは行わないで粉末を焼結することによって,金属質粉から成る複合層,複合工作物または複合物品の製造
06部分品からの複合工作物または複合物品の製造,例.付刃バイトの形成
08粉末から作られたものではない1つまたは2以上の部品をもつもの
H01L 21/56 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
H01L 23/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
50集積回路装置用
CPC
B22F 7/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
7Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting ; wherein at least one part is obtained by sintering or compression
06of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
08with one or more parts not made from powder
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
50for integrated circuit devices, ; e.g. power bus, number of leads
出願人
  • JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 佐藤 賢次 SATO,Kenji
代理人
  • 特許業務法人綾船国際特許事務所 AYAFUNE INTERNATIONAL PATENTS & TRADEMARKS PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
  • 小板橋 浩之 KOITABASHI, Hiroyuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス
要約
(EN) Provided is a power device in which peeling of adhesion between a molded resin and a die pad is reduced by a semiconductor device in which a die-bonding body having a die and a die pad adhered by using a sintered body of a metal powder paste is resin molded, the semiconductor device being such that the sintered body of the metal powder paste is a sintered body of a metal powder paste applied to a surface of the die pad, and the sintered body of the metal powder paste is a sintered body which covers a region on which the die is mounted and a region on which the die is not mounted on the surface of the die pad.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'alimentation pouvant réduire le décollement de l'adhérence entre une résine moulée et un tampon de puce, au moyen d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel un corps de fixage de puce, comportant une puce et un tampon de puce adhéré à l'aide d'un corps fritté d'une pâte de poudre métallique, est moulé en résine, le dispositif à semi-conducteur étant tel que le corps fritté de la pâte de poudre métallique est un corps fritté d'une pâte de poudre métallique appliqué sur une surface du tampon de puce, et le corps fritté de la pâte de poudre métallique est un corps fritté destiné à recouvrir une région sur laquelle la puce est montée et une région sur laquelle la puce n'est pas montée sur la surface du tampon de puce.
(JA) ダイとダイパッドが金属粉ペーストの焼結体によって接着されたダイボンディング体が、樹脂モールドされてなる半導体デバイスであって、金属粉ペーストの焼結体は、ダイパッドの表面上に塗布された金属粉ペーストの焼結体であり、金属粉ペーストの焼結体は、ダイパッドの表面上において、ダイの載置された領域と、ダイの載置されない領域とを、被覆する焼結体である、半導体デバイスによって、モールド樹脂とダイパッドとの接着の剥離を低減させた、パワーデバイスを提供する。
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