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1. WO2020240794 - 波長可変DBR半導体レーザ

公開番号 WO/2020/240794
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/021618
国際出願日 30.05.2019
IPC
H01S 5/125 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
12周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザにおけるもの
125分布反射型レーザ[7]
H01S 5/026 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/125
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
125Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 進藤 隆彦 SHINDO Takahiko
  • 藤原 直樹 FUJIWARA Naoki
代理人
  • 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WAVELENGTH-VARIABLE DBR SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR DBR À LONGUEUR D'ONDE VARIABLE
(JA) 波長可変DBR半導体レーザ
要約
(EN) Disclosed is a 1.3 μm-band wavelength-variable DBR laser with an increased wavelength-variable amount. In a wavelength-variable DBR laser of an embodiment, an active region having an optical gain and a DBR region including a diffraction grating are monolithically integrated, wherein an oscillation wavelength is changed by injecting an electric current into the DBR region. An electron barrier layer which is p-type doped with a greater band gap than that of the p-side cladding layer is provided at a boundary between a core layer and a p-side cladding layer in the DBR region. A hole barrier layer which is n-type doped with a greater band gap than that of the n-side cladding layer is provided at a boundary between the core layer and an n-side cladding layer in the DBR region. By introducing the barrier layers, it is possible to improve the effect of carrier confinement into the core layer, making it possible to increase the amount of wavelength change also in the 1.3 μm band.
(FR) L'invention concerne un laser DBR à longueur d'onde variable de 1,3 µm avec une quantité de longueur d'onde variable accrue. Dans un laser DBR à longueur d'onde variable d'un mode de réalisation, une région active ayant un gain optique et une région DBR comprenant un réseau de diffraction sont intégrées de façon monolithique, une longueur d'onde d'oscillation étant modifiée par injection d'un courant électrique dans la région DBR. Une couche barrière d'électrons qui est dopée de type p avec une bande interdite supérieure à celle de la couche de gainage côté p est disposée au niveau d'une délimitation entre une couche centrale et une couche de gainage côté p dans la région DBR. Une couche barrière de trous qui est dopée de type n avec une bande interdite supérieure à celle de la couche de gainage côté n est disposée au niveau d'une délimitation entre la couche centrale et une couche de gainage côté n dans la région DBR. En introduisant les couches barrières, il est possible d'améliorer l'effet de confinement de porteurs dans la couche centrale, permettant d'augmenter la quantité de changement de longueur d'onde également dans la bande de 1,3 µm.
(JA) 波長可変量を拡大した1.3μm帯の波長可変DBRレーザが開示される。一実施形態の波長可変DBRレーザは、光利得を有する活性領域と回折格子を含むDBR領域とがモノリシックに集積され、DBR領域に電流を注入することで発振波長が変化する波長可変DBRレーザである。DBR領域内のコア層とp側クラッド層との境界に、p側クラッド層よりもバンドギャップが大きいp型のドーピングを施された電子障壁層をさらに有する。DBR領域内のコア層とn側クラッド層との境界に、n側クラッド層よりもバンドギャップが大きいn型のドーピングを施された正孔障壁層をさらに有する。これらの障壁層を導入することでコア層内へのキャリア閉じ込め効果を向上させることができ、これにより1.3μm帯においても波長変化量を拡大できる。
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