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1. WO2020240744 - 並列駆動装置及び電力変換装置

公開番号 WO/2020/240744
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/021404
国際出願日 29.05.2019
IPC
H03K 17/14 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
14物理量,例.温度,の変化を補償するための変形
H02M 1/08 2006.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H02M 7/5387 2007.1
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
53制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
537半導体装置のみを用いるもの(例.1石型インバータ)
5387ブリッジ構成におけるもの
H03K 17/12 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
12最大許容被開閉電流を増大させるための変形
H03K 17/56 2006.1
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H02M 7/5387
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
53using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
537using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
5387in a bridge configuration
H03K 17/12
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
12Modifications for increasing the maximum permissible switched current
H03K 17/14
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
H03K 17/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中山 靖 NAKAYAMA, Yasushi
  • 玉田 美子 TAMADA, Yoshiko
  • 三木 隆義 MIKI, Takayoshi
  • 森崎 翔太 MORISAKI, Shota
  • 中嶋 幸夫 NAKASHIMA, Yukio
  • 内田 健太 UCHIDA, Kenta
  • 木村 圭佑 KIMURA, Keisuke
  • 三原 智伸 MIHARA, Tomonobu
代理人
  • 高村 順 TAKAMURA, Jun
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PARALLEL DRIVING DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’ENTRAÎNEMENT PARALLÈLE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 並列駆動装置及び電力変換装置
要約
(EN) A parallel driving device (50) that drives semiconductor elements (1a, 1b) connected in parallel comprises: a control unit (10); and a gate driving circuit (2). The control unit (10) detects a temperature difference between the semiconductor elements (1a, 1b) on the basis of a detection value of temperature sensors (8a, 8b) that detect temperatures of the respective semiconductor elements (1a, 1b). The control unit (10) generates a control signal (5) that changes a timing of on-operation of a first semiconductor element specified from the semiconductor elements (1a, 1b) on the basis of the temperature difference. The gate driving circuit (2) generates a first driving signal for driving the semiconductor elements (1a, 1b), generates a second driving signal delayed the first driving signal on the basis of the control signal (5), and applies the second driving signal to the first semiconductor element.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'entraînement parallèle (50) qui commande des éléments semi-conducteurs (1a, 1b) connectés en parallèle comprenant : une unité de commande (10) ; et un circuit d'attaque de grille (2). L'unité de commande (10) détecte une différence de température entre les éléments semi-conducteurs (1a, 1b) sur la base d'une valeur de détection de capteurs de température (8a, 8b) qui détectent des températures des éléments semi-conducteurs respectifs (1a, 1b). L'unité de commande (10) génère un signal de commande (5) qui change une synchronisation du fonctionnement d'un premier élément semi-conducteur spécifié parmi les éléments semi-conducteurs (1a, 1b) sur la base de la différence de température. Le circuit d'attaque de grille (2) génère un premier signal d'attaque pour attaquer les éléments semi-conducteurs (1a, 1b), génère un second signal d'attaque retardé du premier signal d'attaque sur la base du signal de commande (5), et applique le second signal d'attaque au premier élément semi-conducteur.
(JA) 並列接続される半導体素子(1a,1b)を駆動する並列駆動装置(50)は、制御部(10)及びゲート駆動回路(2)を備える。制御部(10)は、半導体素子(1a,1b)のそれぞれの温度を検出する温度センサ(8a,8b)の検出値に基づいて半導体素子(1a,1b)間の温度差を検出する。制御部(10)は、温度差に基づいて半導体素子(1a,1b)のうちから特定した第1の半導体素子のオン動作のタイミングを変更する制御信号(5)を生成する。ゲート駆動回路(2)は、半導体素子(1a,1b)を駆動する第1の駆動信号を生成すると共に、制御信号(5)に基づいて第1の駆動信号を遅延させた第2の駆動信号を生成して第1の半導体素子へ印加する。
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