(EN) This optical semiconductor device (1) comprises: a plurality of semiconductor lasers (2) that output a first beam of light from a front end side, and output a second beam of light from a rear end side on the opposite side to the front end side; an optical multiplexing circuit (4) that multiplexes the first beams of light outputted from the plurality of semiconductor lasers (2) and outputs an output beam of light (7); a plurality of waveguides (8) that guide each of the second beams of light to one end surface (12) side of the optical semiconductor device (1); and a plurality of photodetectors (9) that receive individual reflected beams of light (11), which are second beams of light that have been guided through the waveguide (8) and reflected by the one end surface (12) or inclined end surfaces (35) of a plurality of recesses (14) formed on the one end surface (12). The photodetectors (9) are disposed between the rear end sides of the semiconductor lasers (2) and either the one end surface (12) or the inclined end surfaces (35), and the second beams of light outputted from the waveguide (8) are outputted obliquely with respect to a normal to the one end surface (12) or the inclined end surfaces (35).
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur optique (1) qui comprend : une pluralité de lasers à semi-conducteurs (2) qui émettent un premier faisceau de lumière depuis une face d'extrémité avant, et qui émettent un deuxième faisceau de lumière depuis une face d'extrémité arrière sur la face opposée à la face d'extrémité avant, un circuit multiplexeur optique (4) qui multiplexe les premiers faisceaux de lumière émis par la pluralité de lasers à semi-conducteurs (2) et qui émet un faisceau de lumière de sortie (7) ; une pluralité de guides d’ondes (8) qui guident chacun des deuxièmes faisceaux de lumière vers une face de surface d'extrémité (12) du dispositif semi-conducteur optique (1) ; et une pluralité de photodétecteurs (9) qui reçoivent des faisceaux de lumière réfléchis (11) individuels, lesquels sont de deuxièmes faisceaux de lumière qui ont été guidés à travers le guide d’ondes (8) et réfléchis par la surface d’extrémité (12) ou des surfaces d'extrémité inclinées (35) d'une pluralité d'évidements (14) formés sur la surface d’extrémité (12). Les photodécteurs (9) sont disposés entre les faces d'extrémité arrière des lasers à semi-conducteurs (2) et soit la surface d’extrémité (12), soit les surfaces d'extrémité inclinées (35), et les deuxièmes faisceaux de lumière émis par le guide d’ondes (8) sont émis obliquement par rapport à une normale à la surface d'extrémité (12) ou aux surfaces d'extrémité inclinées (35).
(JA) 光半導体装置（１）は、前端側から第一の光を出力すると共に前端側と反対側で後端側から第二の光を出力する複数の半導体レーザ（２）と、複数の半導体レーザ（２）から出力された第一の光を合波して出力光（７）を出力する光合波回路（４）と、第二の光のそれぞれを当該光半導体装置（１）の一端面（１２）側へ導波する複数の導波路（８）と、導波路（８）を導波した第二の光のそれぞれが一端面（１２）又は一端面（１２）に形成された複数の凹部（１４）の傾斜端面（３５）にて反射した反射光（１１）のそれぞれを受光する複数の光検出器（９）と、を備えている。光検出器（９）は、半導体レーザ（２）の後端側と一端面（１２）又は傾斜端面（３５）との間に配置されており、導波路（８）から出力される第二の光は一端面（１２）又は傾斜端面（３５）の垂線に対して斜めに出力される。
