処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020240645 - 光半導体装置

公開番号 WO/2020/240645
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/020829
国際出願日 27.05.2019
IPC
H01S 5/026 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 永尾 龍介 NAGAO Ryosuke
  • 奥貫 雄一郎 OKUNUKI Yuichiro
  • 松本 啓資 MATSUMOTO Keisuke
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置
要約
(EN) This optical semiconductor device (1) comprises: a plurality of semiconductor lasers (2) that output a first beam of light from a front end side, and output a second beam of light from a rear end side on the opposite side to the front end side; an optical multiplexing circuit (4) that multiplexes the first beams of light outputted from the plurality of semiconductor lasers (2) and outputs an output beam of light (7); a plurality of waveguides (8) that guide each of the second beams of light to one end surface (12) side of the optical semiconductor device (1); and a plurality of photodetectors (9) that receive individual reflected beams of light (11), which are second beams of light that have been guided through the waveguide (8) and reflected by the one end surface (12) or inclined end surfaces (35) of a plurality of recesses (14) formed on the one end surface (12). The photodetectors (9) are disposed between the rear end sides of the semiconductor lasers (2) and either the one end surface (12) or the inclined end surfaces (35), and the second beams of light outputted from the waveguide (8) are outputted obliquely with respect to a normal to the one end surface (12) or the inclined end surfaces (35).
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur optique (1) qui comprend : une pluralité de lasers à semi-conducteurs (2) qui émettent un premier faisceau de lumière depuis une face d'extrémité avant, et qui émettent un deuxième faisceau de lumière depuis une face d'extrémité arrière sur la face opposée à la face d'extrémité avant, un circuit multiplexeur optique (4) qui multiplexe les premiers faisceaux de lumière émis par la pluralité de lasers à semi-conducteurs (2) et qui émet un faisceau de lumière de sortie (7) ; une pluralité de guides d’ondes (8) qui guident chacun des deuxièmes faisceaux de lumière vers une face de surface d'extrémité (12) du dispositif semi-conducteur optique (1) ; et une pluralité de photodétecteurs (9) qui reçoivent des faisceaux de lumière réfléchis (11) individuels, lesquels sont de deuxièmes faisceaux de lumière qui ont été guidés à travers le guide d’ondes (8) et réfléchis par la surface d’extrémité (12) ou des surfaces d'extrémité inclinées (35) d'une pluralité d'évidements (14) formés sur la surface d’extrémité (12). Les photodécteurs (9) sont disposés entre les faces d'extrémité arrière des lasers à semi-conducteurs (2) et soit la surface d’extrémité (12), soit les surfaces d'extrémité inclinées (35), et les deuxièmes faisceaux de lumière émis par le guide d’ondes (8) sont émis obliquement par rapport à une normale à la surface d'extrémité (12) ou aux surfaces d'extrémité inclinées (35).
(JA) 光半導体装置(1)は、前端側から第一の光を出力すると共に前端側と反対側で後端側から第二の光を出力する複数の半導体レーザ(2)と、複数の半導体レーザ(2)から出力された第一の光を合波して出力光(7)を出力する光合波回路(4)と、第二の光のそれぞれを当該光半導体装置(1)の一端面(12)側へ導波する複数の導波路(8)と、導波路(8)を導波した第二の光のそれぞれが一端面(12)又は一端面(12)に形成された複数の凹部(14)の傾斜端面(35)にて反射した反射光(11)のそれぞれを受光する複数の光検出器(9)と、を備えている。光検出器(9)は、半導体レーザ(2)の後端側と一端面(12)又は傾斜端面(35)との間に配置されており、導波路(8)から出力される第二の光は一端面(12)又は傾斜端面(35)の垂線に対して斜めに出力される。
Related patent documents
国際事務局に記録されている最新の書誌情報