処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020240644 - 光半導体装置および光半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/240644
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/020828
国際出願日 27.05.2019
IPC
H01S 5/227 2006.1
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
227埋込みメサ構造のもの
CPC
H01S 5/227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
227Buried mesa structure ; ; Striped active layer
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中井 栄治 NAKAI Eiji
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置および光半導体装置の製造方法
要約
(EN) Provided is an optical semiconductor device which includes: a semiconductor substrate (1); a mesa portion (10) in which a first cladding layer (2), an active layer (3), and a second cladding layer (4) are formed on the semiconductor substrate (1) from the semiconductor substrate (1) side; a high resistance embedded layer (5) which is embedded at both sides of the mesa portion (10); and a contact layer (6) which is formed covering the mesa portion (10) and the high resistance embedded layer (5). The concentration of dopant in the high resistance embedded layer (5) itself in a region of the high resistance embedded layer contacting the mesa portion (10) is 1018 cm-3 or more, a second cladding layer inter-diffusion region (4B), into which the dopant from the high resistance embedded layer (5) itself has diffused, is formed in a region of the second cladding layer (4) contacting the high resistance embedded layer, and a high resistance embedded layer inter-diffusion region (5B), into which the dopant from the second cladding layer (4) itself has diffused, is formed in a region of the high resistance embedded layer (5) contacting the second cladding layer (4) and a region of the high resistance embedded layer (5) contacting the active layer (3).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur optique qui comprend : un substrat semi-conducteur (1) ; une partie mesa (10) dans laquelle une première couche de gainage (2), une couche active (3) et une seconde couche de gainage (4) sont formées sur le substrat semi-conducteur (1) à partir du côté du substrat semi-conducteur (1) ; une couche incorporée à haute résistance (5) qui est incorporée des deux côtés de la partie mesa (10) ; et une couche de contact (6) qui est formée recouvrant la partie mesa (10) et la couche incorporée à haute résistance (5). La concentration de dopant dans la couche incorporée à haute résistance (5) elle-même dans une région de la couche incorporée à haute résistance en contact avec la partie mesa (10) est de 1018 cm-3 ou plus, une seconde région d'inter-diffusion de couche de gainage (4B), dans laquelle le dopant provenant de la couche incorporée à haute résistance (5) elle-même a diffusé, est formée dans une région de la seconde couche de gainage (4) en contact avec la couche incorporée à haute résistance, et une région inter-diffusion de couche incorporée à haute résistance (5B), dans laquelle le dopant provenant de la seconde couche de gainage (4) elle-même a diffusé, est formée dans une région de la couche incorporée à haute résistance (5) en contact avec la seconde couche de gainage (4) et une région de la couche incorporée à haute résistance (5) en contact avec la couche active (3).
(JA) 半導体基板(1)と、半導体基板(1)に、半導体基板(1)の側から、第一クラッド層(2)、活性層(3)、第二クラッド層(4)が形成されたメサ部(10)と、メサ部(10)の両側を埋め込む高抵抗埋込層(5)と、メサ部(10)および高抵抗埋込層(5)を覆って形成されたコンタクト層(6)と、を有する光半導体装置において、高抵抗埋込層(5)のメサ部(10)に接する領域における高抵抗埋込層自体の不純物の不純物濃度が1018cm-3以上であり、第二クラッド層(4)の高抵抗埋込層(5)に接する領域に、高抵抗埋込層自体の不純物が拡散した第二クラッド層相互拡散領域(4B)が形成され、高抵抗埋込層(5)の第二クラッド層(4)に接する領域および活性層(3)に接する領域に、第二クラッド層自体の不純物が拡散した高抵抗埋込層相互拡散領域(5B)が形成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報