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1. WO2020240348 - ミキサ、及び半導体装置

公開番号 WO/2020/240348
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/054751
国際出願日 20.05.2020
IPC
H03D 7/00 2006.1
H電気
03基本電子回路
D一つの搬送波から他の搬送波への変換または変調の復調
71つの搬送波から他の搬送波への変調の変換,例.周波数変換
H03D 7/12 2006.1
H電気
03基本電子回路
D一つの搬送波から他の搬送波への変換または変調の復調
71つの搬送波から他の搬送波への変調の変換,例.周波数変換
123以上の電極を有する半導体装置によるもの
H03D 7/14 2006.1
H電気
03基本電子回路
D一つの搬送波から他の搬送波への変換または変調の復調
71つの搬送波から他の搬送波への変調の変換,例.周波数変換
14平衡配置
H01L 21/8234 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 27/088 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
CPC
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H03D 7/00
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
7Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
H03D 7/12
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
7Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
12by means of semiconductor devices having more than two electrodes
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大嶋和晃 OHSHIMA, Kazuaki
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
  • 井上達則 INOUE, Tatsunori
優先権情報
2019-10234131.05.2019JP
2019-10698307.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MIXER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MÉLANGEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ミキサ、及び半導体装置
要約
(EN) Provided are a mixer and a semiconductor device wherein the circuit area is smaller and deterioration of operational ability due to heat is suppressed. A mixer according to the invention comprises a differential unit, a current source, a first load, an input terminal and a first output terminal, wherein the differential unit has first and second transistors, each of which has a metal oxide in a channel-formed area thereof. Respective first terminals of the first and second transistors are electrically connected to the input terminal and to the current source, whereas a second terminal of the first transistor is electrically connected to a first terminal of the first load and to the first output terminal. The first load has a function to flow a current between the first terminal of the first load and a second terminal thereof in response to a voltage being applied to the second terminal of the first load, whereas the current source has a function to flow constant currents from the respective first terminals of the first and second transistors to the current source. The current source has a transistor that includes silicon in a channel-formed area thereof, and the differential unit is located above the current source.
(FR) L'invention concerne un mélangeur et un dispositif à semi-conducteur dans lesquels la zone de circuit est plus petite et la détérioration de la capacité opérationnelle due à la chaleur est supprimée. Un mélangeur selon l'invention comprend une unité différentielle, une source de courant, une première charge, une borne d'entrée et une première borne de sortie, l'unité différentielle comprenant des premier et second transistors, dont chacun a un oxyde métallique dans une zone en forme de canal de celui-ci. Des premières bornes respectives des premier et second transistors sont électriquement connectées à la borne d'entrée et à la source de courant, tandis qu'une seconde borne du premier transistor est connectée électriquement à une première borne de la première charge et à la première borne de sortie. La première charge a pour fonction de faire circuler un courant entre la première borne de la première charge et une seconde borne de celle-ci en réponse à une tension appliquée à la seconde borne de la première charge, tandis que la source de courant a pour fonction de faire circuler des courants constants depuis les premières bornes respectives des premier et second transistors jusqu'à la source de courant. La source de courant comporte un transistor qui comprend du silicium dans une zone en forme de canal de celui-ci, et l'unité différentielle est située au-dessus de la source de courant.
(JA) 回路面積が小さく、かつ熱による動作能力の低下を抑えたミキサ、及び半導体装置を提供する。 差動部と電流源と第1負荷と入力端子と第1出力端子とを有するミキサであって、差動部は、第1、 第2トランジスタを有し、第1、第2トランジスタのそれぞれは、チャネル形成領域に金属酸化物 を有する。第1、第2トランジスタのそれぞれの第1端子は、入力端子と電流源とに電気的に接続 され、第1トランジスタの第2端子は、第1負荷の第1端子と第1出力端子とに電気的に接続され ている。第1負荷は、電圧が第1負荷の第2端子に与えられることによって、第1負荷の第1端子 -第2端子間に電流を流す機能を有し、電流源は、第1、第2トランジスタのそれぞれの第1端子 から電流源に定電流を流す機能を有する。電流源は、チャネル形成領域にシリコンが含まれている トランジスタを有し、差動部は、電流源の上方に位置する。
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