処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020240339 - 通信装置

公開番号 WO/2020/240339
公開日 03.12.2020
国際出願番号 PCT/IB2020/054711
国際出願日 19.05.2020
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H04B 1/40 2015.1
H電気
04電気通信技術
B伝送
1グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
40回路
H03F 1/22 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
1増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
08増幅素子の内部インピーダンスの有害な影響を低減するための増幅器の変形
22カスコード結合,すなわちカソードまたはエミッタ接地段の次にそれぞれグリッドまたはベース接地段が続くもの,の使用によるもの
H03F 3/45 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
45差動増幅器
H03F 3/62 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
62双方向増幅器
H03F 3/68 2006.1
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
68増幅器の組み合わせ,例.立体音用多チャネル増幅器
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H03F 1/22
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
22by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
H03F 3/45
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
H03F 3/62
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
62Two-way amplifiers
H03F 3/68
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
H04B 1/40
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
40Circuits
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 木村肇 KIMURA, Hajime
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
優先権情報
2019-10202931.05.2019JP
2019-10203631.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 通信装置
要約
(EN) Provided is a communication device with a wide range of potentials of signals which can be transmitted and received. This communication device has an amplifier circuit comprising first to fourth transistors, first to fourth bias transistors, first to fourth loads, and first to fourth terminals. The drains of the first to fourth transistors are electrically connected to the sources of the first to fourth bias transistors, respectively. The sources of the first to fourth transistors are electrically connected to the power supply line. The gates of the first and second bias transistors are electrically connected to first wiring, and the gates of the third and fourth bias transistors are electrically connected to second wiring. The first to fourth terminals are electrically connected to the gates of the first to fourth transistors, respectively, and the drains of the third, fourth, first and second bias transistors are electrically connected to the first to fourth loads, respectively.
(FR) L'invention concerne un dispositif de communication avec une large gamme de potentiels de signaux qui peuvent être transmis et reçus. Le présent dispositif de communication comprend un circuit amplificateur comprenant des premier à quatrième transistors, des premier à quatrième transistors de polarisation, des première à quatrième charges, et des premier à quatrième terminaux. Les drains des premier à quatrième transistors sont respectivement connectés de manière électrique aux sources des premier à quatrième transistors de polarisation. Les sources des premier à quatrième transistors sont connectées de manière électrique à la ligne d'alimentation électrique. Les grilles des premier et deuxième transistors de polarisation sont connectées de manière électrique au premier câblage, et les grilles des troisième et quatrième transistors de polarisation sont connectées de manière électrique à un second câblage. Les premier à quatrième terminaux sont respectivement connectés de manière électrique aux grilles des premier à quatrième transistors, et les drains des troisième, quatrième, premier et deuxième transistors de polarisation sont respectivement connectés de manière électrique aux première à quatrième charges.
(JA) 送受信することができる信号の電位の幅が広い通信装置を提供する。 第1乃至第4のトランジスタと、第1乃至第4のバイアストランジスタと、第1乃至第4の負荷と、 第1乃至第4の端子と、が設けられている増幅回路を有する通信装置。第1乃至第4のトランジス タのドレインは、第1乃至第4のバイアストランジスタのソースとそれぞれ電気的に接続されてい る。第1乃至第4のトランジスタのソースは、電源線と電気的に接続されている。第1および第2 のバイアストランジスタのゲートは、第1の配線と電気的に接続され、第3および第4のバイアス トランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続されている。第1乃至第4の端子は、第1乃 至第4のトランジスタのゲート、第3、第4、第1、第2のバイアストランジスタのドレイン、お よび第1乃至第4の負荷とそれぞれ電気的に接続される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報