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1. WO2020235455 - 処理装置および処理方法

公開番号 WO/2020/235455
公開日 26.11.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/019325
国際出願日 14.05.2020
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
C23C 16/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 赤坂 泰志 AKASAKA, Yasushi
  • 高橋 毅 TAKAHASHI, Tsuyoshi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-09446820.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 処理装置および処理方法
要約
(EN)
This processing device is provided with a processing module, a load lock chamber, a vacuum transfer chamber, and a gas supplying part. The processing module includes a vacuum processing chamber for performing a process on a substrate in a vacuum atmosphere. The load lock chamber switches the atmosphere between the vacuum atmosphere and an ordinary-pressure atmosphere. The vacuum transfer chamber is provided between the vacuum processing chamber and the load lock chamber via gate valves therebetween, and allows the substrate to be transferred between the vacuum processing chamber and the load lock chamber by means of a substrate transfer mechanism. The gas supplying part supplies purge gas including reducing gas to at least one of the vacuum processing chamber, the load lock chamber, or the vacuum transfer chamber.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement qui comporte un module de traitement, une chambre de verrouillage de charge, une chambre de transfert sous vide et une partie d'alimentation en gaz. Le module de traitement comprend une chambre de traitement sous vide pour effectuer un traitement sur un substrat dans une atmosphère sous vide. La chambre de verrouillage de charge commute l'atmosphère entre l'atmosphère sous vide et une atmosphère à pression ordinaire. La chambre de transfert sous vide est disposée entre la chambre de traitement sous vide et la chambre de verrouillage de charge par l'intermédiaire de robinets-vannes entre celles-ci, et permet au substrat d'être transféré entre la chambre de traitement sous vide et la chambre de verrouillage de charge au moyen d'un mécanisme de transfert de substrat. La partie d'alimentation en gaz fournit un gaz de purge comprenant un gaz réducteur à au moins l'une de la chambre de traitement sous vide, de la chambre de verrouillage de charge et de la chambre de transfert sous vide.
(JA)
処理装置は、処理モジュールと、ロードロック室と、真空搬送室と、ガス供給部とを有する。処理モジュールは、真空雰囲気下で基板に対して処理を行う真空処理室を含む。ロードロック室は、真空雰囲気と常圧雰囲気との間で雰囲気を切り替える。真空搬送室は、真空処理室とロードロック室との間に仕切り弁を介して設けられ、基板搬送機構により真空処理室とロードロック室との間で、基板を搬送する。ガス供給部は、真空処理室と、ロードロック室と、真空搬送室とのうち、少なくとも1つに還元性ガスを含むパージガスを供給する。
他の公開
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