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1. WO2020226110 - プリコート方法及びマイクロ波プラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/226110
公開日 12.11.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/018186
国際出願日 28.04.2020
IPC
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
C23C 16/511 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
511マイクロ波放電を用いるもの
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 横倉 瑛太 YOKOKURA, Eita
  • 野上 隆文 NOGAMI, Takafumi
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-08784907.05.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRECOATING METHOD AND MICROWAVE PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT PRÉALABLE, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA PAR MICRO-ONDES
(JA) プリコート方法及びマイクロ波プラズマ処理装置
要約
(EN)
Provided is a precoating method for use after a chamber of a microwave plasma treatment apparatus has been cleaned, the method including: a step for supplying a precoating gas that includes, from among gases used to treat substrates, a gas that serves as a precursor contributing to film formation; a step for introducing microwaves after the precoating gas has been supplied to form a precoat film; a step for stopping the introduction of the microwaves; and a step for stopping the supply of the precoating gas.
(FR)
L'invention fournit un procédé de revêtement préalable après nettoyage d'une chambre d'un dispositif de traitement au plasma par micro-ondes. Ce procédé de revêtement préalable inclut : une étape au cours de laquelle des gaz mis en œuvre dans le traitement de substrat sont alimentés en gaz pour revêtement préalable qui contient un gaz consistant en un précurseur servant à la formation d'un film ; une étape au cours de laquelle des micro-ondes sont introduites après ladite alimentation en gaz pour revêtement préalable, et un film de revêtement préalable est ainsi formé ; une étape au cours de laquelle l'introduction desdites micro-ondes est arrêtée ; et une étape au cours de laquelle ladite alimentation en gaz pour revêtement préalable est arrêtée.
(JA)
マイクロ波プラズマ処理装置のチャンバをクリーニングした後のプリコート方法であって、基板処理に使用するガスのうち、成膜に寄与するプリカーサとなるガスを含むプリコート用ガスを供給する工程と、前記プリコート用ガスを供給した後にマイクロ波を導入し、プリコート膜を形成する工程と、前記マイクロ波の導入を停止する工程と、前記プリコート用ガスの供給を停止する工程と、を含むプリコート方法が提供される。
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