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1. WO2020226044 - 画像表示装置の製造方法および画像表示装置

公開番号 WO/2020/226044
公開日 12.11.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017014
国際出願日 20.04.2020
IPC
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 33/50 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50波長変換要素
H01L 33/54 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
52封止
54特定の形状を有するもの
H01L 33/62 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
62半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品,例.リードフレーム,ワイヤボンドまたはハンダ
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
出願人
  • 日亜化学工業株式会社 NICHIA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 秋元 肇 AKIMOTO, Hajime
代理人
  • 日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko
  • 小崎 純一 KOZAKI, Junichi
  • 内田 敬人 UCHIDA, Takahito
優先権情報
2019-08853608.05.2019JP
2019-17986030.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE
(JA) 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
要約
(EN)
A manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises: a step of preparing a substrate which has a semiconductor layer including a light emitting layer formed on a first substrate; a step of forming a metal layer on the semiconductor layer; a step of bonding the semiconductor layer to a second substrate having a circuit including a circuit element formed thereon, with the metal layer being therebetween; a step of processing the semiconductor layer to form a light emitting element; a step of processing the metal layer to form a first wire layer; a step of forming an insulating film that covers the light emitting element and the first wire layer; a step of forming a first via that passes through the insulating film and reaches the circuit; a step of forming a second wire layer on the insulating film; and a step of electrically connecting the light emitting element and the circuit element in series via the first wire layer, the second wire layer, and the first via.
(FR)
La présente invention comprend un procédé de fabrication selon un mode de réalisation comprenant : une étape de préparation d'un substrat comprenant une couche semi-conductrice comprenant une couche d'émission de lumière formée sur un premier substrat ; une étape de formation d'une couche métallique sur la couche semi-conductrice ; une étape de liaison de la couche semi-conductrice à un second substrat comprenant un circuit sur lequel est formé un élément de circuit, la couche métallique se trouvant entre eux ; une étape de traitement de la couche semi-conductrice permettant de former un élément d'émission de lumière ; une étape de traitement de la couche métallique permettant de former une première couche de fil ; une étape de formation d'un film isolant qui recouvre l'élément d'émission de lumière et la première couche de fil ; une étape de formation d'un premier trou d'interconnexion qui traverse le film isolant et atteint le circuit ; une étape de formation d'une seconde couche de fil sur le film isolant ; et une étape de connexion électrique de l'élément d'émission de lumière et de l'élément de circuit en série par l'intermédiaire de la première couche de fil, de la seconde couche de fil et du premier trou d'interconnexion.
(JA)
実施形態の製造方法は、発光層を含む半導体層を、第1基板上に形成された基板を準備する工程と、前記半導体層上にメタル層を形成する工程と、前記半導体層を、回路素子を含む回路が形成された第2基板に前記メタル層を介して貼り合わせる工程と、前記半導体層を加工して発光素子を形成する工程と、前記メタル層を加工して第1の配線層を形成する工程と、前記発光素子および前記第1の配線層を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を貫通して前記回路に達する第1ビアを形成する工程と、前記絶縁膜上に第2の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層、前記第2の配線層および前記第1ビアを介して前記発光素子と前記回路素子とを電気的に直列に接続する工程と、を備える。
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