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1. WO2020218524 - ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法

公開番号 WO/2020/218524
公開日 29.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/017729
国際出願日 24.04.2020
IPC
H01L 25/065 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
065装置がグループH01L27/00に分類された型からなるもの
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 25/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 昭和電工マテリアルズ株式会社 SHOWA DENKO MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 矢羽田 達也 YAHATA Tatsuya
  • 谷口 紘平 TANIGUCHI Kohei
  • 橋本 慎太郎 HASHIMOTO Shintaro
  • 尾崎 義信 OZAKI Yoshinobu
  • 板垣 圭 ITAGAKI Kei
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
PCT/JP2019/01773325.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOLMEN STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND LAMINATED FILM FOR FORMING SUPPORT PIECE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE STRUCTURE EN DOLMEN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET FILM STRATIFIÉ POUR FORMER UNE PIÈCE DE SUPPORT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法
要約
(EN) The laminated film for forming a support piece according to the present invention includes, in order, a base film, an adhesive layer, and a film for forming a support piece, wherein the film for forming a support piece has a multilayer structure including at least a resin layer having a tensile elasticity of 8.0 MPa or more. This laminated film for forming a support piece is applied to a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including a substrate, a first chip disposed on the substrate, a plurality of support pieces disposed on the substrate around the first chip, and a second chip supported by the plurality of support pieces and disposed so as to cover the first chip.
(FR) Le film stratifié pour former une pièce de support selon la présente invention comprend, dans l'ordre, un film de base, une couche adhésive et un film pour former une pièce de support, le film pour former une pièce de support ayant une structure multicouche comprenant au moins une couche de résine ayant une élasticité à la traction supérieure ou égale à 8,0 MPa. Ce film stratifié pour former une pièce de support est appliqué à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant une structure en dolmen comprenant un substrat, une première puce disposée sur le substrat, une pluralité de pièces de support disposées sur le substrat autour de la première puce, et une seconde puce supportée par la pluralité de pièces de support et disposée de manière à recouvrir la première puce.
(JA) 本開示に係る支持片形成用積層フィルムは、基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備え、支持片形成用フィルムが引張弾性率8.0MPa以上の樹脂層を少なくとも含む多層構造を有する。この支持片形成用積層フィルムは、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスに適用される。
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