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1. WO2020217787 - 金属部材およびその製造方法

公開番号 WO/2020/217787
公開日 29.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/011899
国際出願日 18.03.2020
IPC
C25D 5/14 2006.1
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
5方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理
10同種または異種の2層以上からなる金属の電気鍍金
12少なくとも一層がニッケルまたはクロムよりなるもの
14ニッケルまたはクロムが2層以上のもの,例.二重層または三重層
C25D 5/16 2006.1
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
5方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理
16厚みの異なった層の電気鍍金
C25D 7/00 2006.1
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
7被覆される物品に特徴のある電気鍍金
H01L 23/12 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/36 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
C23C 18/52 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
52グループC23C18/32~C23C18/50の単一グループに分類されない金属質材料による被覆のために還元剤を用いるもの
CPC
C23C 18/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
52using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
C25D 5/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
12at least one layer being of nickel or chromium
14two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
C25D 5/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
16Electroplating with layers of varying thickness
C25D 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
7Electroplating characterised by the article coated
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
出願人
  • NGKエレクトロデバイス株式会社 NGK ELECTRONICS DEVICES, INC. [JP]/[JP]
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 吉村 茂 YOSHIMURA Shigeru
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
  • 中尾 和樹 NAKAO Kazuki
  • 喜多 弘行 KITA Hiroyuki
優先権情報
2019-08085822.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METAL MEMBER AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 金属部材およびその製造方法
要約
(EN) This metal member has a metal substrate (10), a first intermediate plating layer (21), a second intermediate plating layer (22), and a noble-metal plating layer (23). The metal substrate (10) has a surface (SF) formed from multiple crystal grains (C1 to C5). The first intermediate plating layer (21) is formed directly on the multiple crystal grains (C1 to C5) of the metal substrate (10), contains nickel, and is non-oriented relative to the respective crystal orientations in the multiple crystal grains (C1 to C5) of the metal substrate (10). The second intermediate plating layer (22) is formed directly on the first intermediate plating layer (21). The noble-metal plating layer (23) is formed on the second intermediate plating layer (22).
(FR) L'invention concerne un élément métallique comprenant un substrat métallique (10), une première couche de placage intermédiaire (21), une seconde couche de placage intermédiaire (22), et une couche de placage de métal noble (23). Le substrat métallique (10) a une surface (SF) formée à partir de multiples grains cristallins (C1 à C5). La première couche de placage intermédiaire (21) est formée directement sur les multiples grains cristallins (C1 à C5) du substrat métallique (10), contient du nickel, et est non orientée par rapport aux orientations cristallines respectives dans les multiples grains cristallins (C1 à C5) du substrat métallique (10). La seconde couche de placage intermédiaire (22) est formée directement sur la première couche de placage intermédiaire (21). La couche de placage de métal noble (23) est formée sur la seconde couche de placage intermédiaire (22).
(JA) 金属部材は、金属基材(10)と、第1中間めっき層(21)と、第2中間めっき層(22)と、貴金属めっき層(23)とを有している。金属基材(10)は、複数の結晶粒(C1~C5)からなる表面(SF)を有している。第1中間めっき層(21)は、金属基材(10)の複数の結晶粒(C1~C5)上に直接形成されており、ニッケル元素を含有し、金属基材(10)の複数の結晶粒(C1~C5)における各結晶方位に対して無配向である。第2中間めっき層(22)は第1中間めっき層(21)上に直接形成されている。貴金属めっき層(23)は第2中間めっき層(22)上に形成されている。
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