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1. WO2020213237 - 気相成長方法及び気相成長装置

公開番号 WO/2020/213237
公開日 22.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004793
国際出願日 07.02.2020
IPC
H01L 21/205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/683 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
H01L 21/673 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
673特に適合するキャリアを使用するもの
C23C 16/54 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
54連続被覆に特に適合した装置
CPC
C23C 16/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 21/673
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
673using specially adapted carriers ; or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 和田 直之 WADA, Naoyuki
  • 南出 由生 MINAMIDE, Yu
代理人
  • とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM
優先権情報
2019-07912418.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) VAPOR PHASE GROWTH METHOD AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長方法及び気相成長装置
要約
(EN) Carriers (C) and susceptors (112) are cleaned with a prescribed frequency by using a first robot (121) to introduce a carrier (C) being held in a load lock chamber (13) into a reaction chamber (111) without an unprocessed wafer (WF) mounted thereupon, supplying a cleaning gas while maintaining the reaction chamber (111) at a prescribed cleaning temperature, and using the first robot (121) to transport the carrier (C) that was cleaned in the reaction chamber (111) to the load lock chamber (13). Thereafter, the carrier (C) is transported from the reaction chamber (111) and a reaction gas is supplied to the reaction chamber to form a polysilicon film (112P) on the surface of a susceptor (112).
(FR) L'invention concerne des supports (C) et des suscepteurs (112) qui sont nettoyés avec une fréquence prescrite en utilisant un premier robot (121) pour introduire un support (C) qui est maintenu dans une chambre de verrouillage de charge (13) dans une chambre de réaction (111) sans tranche non traitée (WF) montée sur celle-ci, à fournir un gaz de nettoyage tout en maintenant la chambre de réaction (111) à une température de nettoyage prescrite, et à utiliser le premier robot (121) pour transporter le support (C) qui a été nettoyé dans la chambre de réaction (111) vers la chambre de verrouillage de charge (13). Ensuite, le support (C) est transporté à partir de la chambre de réaction (111) et un gaz de réaction est fourni à la chambre de réaction pour former un film de polysilicium (112P) sur la surface d'un suscepteur (112).
(JA) 第1ロボット(121)を用いて、ロードロック室(13)にて待機するキャリア(C)を、処理前のウェーハ(WF)を搭載しない状態で反応室(111)に投入し、反応室(111)を所定の洗浄温度に維持した状態で洗浄用ガスを供給し、第1ロボット(121)を用いて、反応室(111)で洗浄を終了したキャリア(C)をロードロック室(13)に搬送することで、所定頻度でキャリア(C)及びサセプタ(112)を洗浄する。その後、キャリア(C)を反応室(111)から搬出し、反応室に反応ガスを供給してサセプタ(112)の表面にポリシリコン膜(112P)を形成する。
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