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1. WO2020209202 - 酸化ケイ素膜、ガスバリア膜用材料及び酸化ケイ素膜の製造方法

公開番号 WO/2020/209202
公開日 15.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/015354
国際出願日 03.04.2020
IPC
C23C 16/42 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
B32B 9/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9本質的にグループB32B11/00~B32B29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
B32B 27/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27本質的に合成樹脂からなる積層体
C07F 7/18 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
7周期表の第4族または第14族の元素を含有する化合物
02ケイ素化合物
081個以上のC-Si結合をもつ化合物
181個以上のC-Si結合と1個以上のC-O-Si結合をもつ化合物
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
C23C 16/505 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
505高周波放電によるもの
出願人
  • 東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP]/[JP]
  • 公益財団法人相模中央化学研究所 SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE [JP]/[JP]
発明者
  • 杉本 俊 SUGIMOTO Shun
  • 千葉 洋一 CHIBA Hirokazu
  • 田中 陵二 TANAKA Ryoji
  • 布川 真理奈 FUKAWA Marina
代理人
  • 特許業務法人T.S.パートナーズ T.S. PARTNERS
  • 小川 利春 OGAWA Toshiharu
  • 金 鎭文 KIM Jin-Moon
  • 比企野 健 HIKINO Ken
  • 横井 大一郎 YOKOI Daiichiro
優先権情報
2019-07397809.04.2019JP
2019-13340319.07.2019JP
2020-02687820.02.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON OXIDE FILM, MATERIAL FOR GAS BARRIER FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE FILM
(FR) FILM D'OXYDE DE SILICIUM, MATÉRIAU POUR FILM DE BARRIÈRE CONTRE LES GAZ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM D'OXYDE DE SILICIUM
(JA) 酸化ケイ素膜、ガスバリア膜用材料及び酸化ケイ素膜の製造方法
要約
(EN)
Provided is a silicon oxide film that exhibits excellent gas barrier properties even as a thin film. The silicon oxide film is characterized by satisfying the following conditions (1) and (2). (1) The water vapor transmission rate (WVTR) at a film thickness of 500nm or less is at most 9.0×10-3g/m2·day. (2) The carbon concentration in the film as measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is at most 3.0atom%.
(FR)
L'invention concerne un film d'oxyde de silicium qui présente d'excellentes propriétés de barrière aux gaz même sous la forme d'un film mince. Le film d'oxyde de silicium est caractérisé en ce qu'il satisfait les conditions suivantes (1) et (2). (1) Le taux de transmission de vapeur d'eau (WVTR) à une épaisseur de film de 500 nm ou moins est au maximum de 9,0 × 10-3 g/m2 · jour. (2) La concentration en carbone dans le film, telle que mesurée par spectroscopie photoélectronique à rayons X (XPS), est au maximum de 3,0 % atomiques.
(JA)
薄膜下においても高いガスバリア性能を示す酸化ケイ素膜を提供する。 下記の(1)及び(2)の要件を満たすことを特徴とする酸化ケイ素膜。 (1)膜厚500nm以下における水蒸気透過率(WVTR)が9.0×10-3g/m・day以下である。 (2)X線光電子測定分光法(XPS)で測定した膜中炭素濃度が、3.0atom%以下である。
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